2024年5月2日发(作者：诺基亚e3101)

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(21)申请号 CN2.X

(22)申请日 2010.06.18

(71)申请人 松下电器产业株式会社

地址 日本大阪府

(72)发明人 小野晋也 松井雅史 戎野浩平

(74)专利代理机构 北京市中咨律师事务所

代理人 周春燕

(51)

H05B33/22

H01L51/50

H05B33/26

(10)申请公布号 CN 102972094 A

(43)申请公布日 2013.03.13

权利要求说明书 说明书 幅图

(54)发明名称

有机EL显示装置

(57)摘要

一种有机EL显示装置，其在基板

上具备多条扫描线（12）、多条数据线

（13）、配置于该扫描线（12）与该数据

线（13）的交叉部附近的发光像素（10）

和向发光像素（10）供给电流的电源线

（11），各个发光像素（10）具有：开关

用薄膜晶体管（15），其经由扫描线

（12）在栅极被供给扫描信号；电流控制

用薄膜晶体管（16），其栅极的电压根据

从数据线（13）经由开关用薄膜晶体管

（15）供给的数据电压而决定，根据对栅

极施加的电压控制在发光像素（10）中流

动的电流；有机EL元件（17），其包含

下部电极（17c）、有机发光层（17b）以

及上部电极（17a），从电源线（11）经由

电流控制用薄膜晶体管（16）供给电流；

在配置有多条扫描线（12）的TFT层

（26）上设有层间绝缘膜（25）；在层间

绝缘膜（25）上配置有电源线（11）。

法律状态

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态

权 利 要 求 说 明 书

1.一种有机电致发光即有机EL显示装置，其在基板上具备多条扫

各个所述发光像素具有：

开关用薄膜晶体管，其经由所述扫描线在栅极被供给扫描信号；

电流控制用薄膜晶体管，其栅极的电压根据从所述数据线经由所述开

有机EL元件，其包含下部电极、有机发光层以及上部电极，从所述

在配置有所述多条扫描线的层上设有层间绝缘膜；

所述电源线配置在所述层间绝缘膜上。

2.如权利要求1所述的有机EL显示装置，

所述下部电极配置于所述层间绝缘膜上；

所述电源线与所述下部电极构成于同一层。

电源线经由所述电流控制用薄膜晶体管被供给电流；

描线、多条数据线、配置于该扫描线与该数据线的交叉部附近的发光像素

和向该发光像素供给电流的电源线，

关用薄膜晶体管供给的数据电压而决定，根据对栅极施加的电压控制在所

述发光像素中流动的电流；以及

3.如权利要求1或2所述的有机EL显示装置，

还具有配置于所述层间绝缘膜上的辅助布线；

所述上部电极共同连接于各个所述发光像素，并与所述辅助布线电连

所述电源线与所述辅助布线构成于同一层。

4.如权利要求3所述的有机EL显示装置，

所述电源线、所述辅助布线与所述下部电极构成于同一层。

5.如权利要求1所述的有机EL显示装置，

所述层间绝缘膜包含有机物。

6.如权利要求5所述的有机EL显示装置，

所述层间绝缘膜的相对介电常数除以所述层间绝缘膜的膜厚而得到的

接；

值小于4×10^-6m^-1。

7.如权利要求1所述的有机EL显示装置，

所述电源线配置于与所述多条扫描线正交的方向。

8.如权利要求7所述的有机EL显示装置，

在所述电源线上，设有将各个所述发光像素的有机发光层隔离的分隔

9.如权利要求3所述的有机EL显示装置，

所述辅助布线配置为与所述电源线并行。

壁部。

说 明 书

技术领域

本发明涉及有机EL显示装置。

背景技术

在有机EL（Electro-Luminescence，电致发光）显示装置中，用于供

机EL元件中流动的电流的电源线即连接于电流控制用薄膜晶体管

也简称为“TFT”）的电源线，配置于构成TFT的源极-漏极层以

给在有

（以下

及栅极

的层

源线的

致的辉

层的一方或者双方（例如参照专利文献1），或者配置于形成有TFT

（以下称为“TFT层”）之下（例如参照专利文献2）。或者，将电

宽度加粗。这是为了防止因电源线的布线电阻引起的电压下降所导

度的不均匀化等。

专利文献1：特开2005-031645号公报

专利文献2：特开2005-215354号公报

发明内容

但是，在上述的以往的电源线的配置和/或将宽度加粗的对策中，由于

因此，本发明是鉴于这样的问题而作的，其目的在于提供为了实现画

在有机EL显示装置的画面上在行方向走线的扫描线和/或在列方向走线的

数据线等控制线与电源线之间的寄生电容，会有控制线的布线时间常数增

大，传送高频率的信号、即有机EL元件的高速驱动变得困难的问题。因

此，有机EL显示装置的画面的大型化以及高精细化会变得困难。

面的大型化以及高精细化而改进了电源线的配置使得抑制控制线的时间常

数的增大的有机EL显示装置。

为了达到上述目的，本发明所涉及的有机EL显示装置的一方式，是

上具备多条扫描线、多条数据线、配置于该扫描线与该数据线的交

近的发光像素和向该发光像素供给电流的电源线的有机EL显示装

个所述发光像素具有：开关用薄膜晶体管，其经由所述扫描线在栅

给扫描信号；电流控制用薄膜晶体管，其栅极的电压根据从所述数

由所述开关用薄膜晶体管供给的数据电压而决定，根据对栅极施加

控制在所述发光像素中流动的电流；以及有机EL元件，其包含下

有机发光层以及上部电极，从所述电源线经由所述电流控制用薄

管被供给电流；在配置有所述多条扫描线的层上设有层间绝缘膜；

源线配置在所述层间绝缘膜上。

通过本发明，可降低通过电源线与控制线形成的寄生电容，实现能够

进行画面的大型化以及高精细化的有机EL显示装置。

由此，作为对希望画面的大型化以及高精细化的TV和/或计算机用显

示器等的应用，本发明的实用价值极高。

附图说明

图1是本发明的实施方式中的有机EL显示装置所具备的各发光像素

图。

图2是表示该有机EL显示装置的剖面的概略图。

图3（a）以及（b）是该有机EL显示装置的下部电极层的布局图。

在基板

叉部附

置，各

极被供

据线经

的电压

部电极、

膜晶体

所述电

的电路

图4（a）是该有机EL显示装置的下部电极层以及发光层（分隔壁部）

图5（a）是该有机EL显示装置的下部电极层（包含第1TFT接触部

2TFT接触部）的布局图，图5（b）～（e）分别是在图5（a）中

线、DD’线、EE’线以及FF’线处剖切时的有机EL显示装置的剖面

图6（a）是表示该有机EL显示装置的配置于下部电极层的电源线以

以及第

的CC’

图。

的布局图，图4（b）以及（c）是在图4（a）中的AA’线以及BB’线处剖

切时的下部电极层以及分隔壁部的剖面图。

及辅助布线与各发光像素的连接关系的图，图6（b）是表示

不配置电源线的以往技术中的辅助布线与各发光像素的

在下部电极层

连接关系的图。

图7是表示本发明的实施方式中的有机EL显示装置的应用例的图。

符号说明

10：发光像素，11、11a、11b：电源线，12：扫描线，13：数据线，

助布线，15：开关用薄膜晶体管，16：电流控制用薄膜晶体管，17：

14：辅

有机EL元件，17a：上部电极，17b：有机发光层，17c：下部电极，18：

基准电源，19：电容器，21：上部电极层，22：发光层，23：下部电极层，

23a：第1TFT接触部，23b：第2TFT接触部，24：分隔壁部，25：

绝缘膜，26：TFT层，26a：TFT电路，26b：布线，30：TV。 层间

具体实施方式

本发明所涉及的有机EL显示装置的一方式，是在基板上具备多条扫

多条数据线、配置于该扫描线与该数据线的交叉部附近的发光像素

发光像素供给电流的电源线的有机EL显示装置，各个所述发光像

开关用薄膜晶体管，其经由所述扫描线在栅极被供给扫描信号；

描线、

和向该

素具有：

电流控

薄膜晶

光像素

以及上

制用薄膜晶体管，其栅极的电压根据从所述数据线经由所述开关用

体管供给的数据电压而决定，根据对栅极施加的电压控制在所述发

中流动的电流；以及有机EL元件，其包含下部电极、有机发光层

部电极，从所述电源线经由所述电流控制用薄膜晶体管被供给电流；

由此，电源线与扫描线夹着层间绝缘膜而分离。因此，由电源线和扫

另外，电源线与扫描线按层间绝缘膜的厚度分离而制造，所以与电源

进而，为了降低由电源线和扫描线形成的寄生电容，不设置特别的分

在这里，也可以：所述下部电极配置于所述层间绝缘膜上；所述电源

线与所述下部电极构成于同一层。或者，也可以：有机EL显示装置还具

有配置于所述层间绝缘膜上的辅助布线；所述上部电极共同连接于各个所

述发光像素，并与所述辅助布线电连接；所述电源线与所述辅助布线构成

离层，而使用用于将形成有TFT的层平坦化的层间绝缘膜，所以与设置特

别的分离层的情况相比，可降低制造成本。

线和扫描线形成于同一层（例如形成TFT的层）的以往技术相比，可降低

短路不良，提高有机EL显示装置的成品率。

描线形成的寄生电容，与电源线和扫描线形成于同一层（例如，形成TFT

的层）的以往技术相比，进一步降低，能够向扫描线传送高频率的信号。

在配置有所述多条扫描线的层上设有层间绝缘膜；所述电源线配置在所述

层间绝缘膜上。

于同一层。总之，所述电源线、所述辅助布线与所述下部电极可以构成于

同一层。由此，不仅有机EL元件的下部电极，而且电源线以及辅助布线

也形成于同一层，所以这些布线能够通过一个布线工艺同时形成，与通过

多个制造工艺形成的制法相比，可削减制造成本。

在这里，优选：所述层间绝缘膜包含有机物。进而优选：所述层间绝

缘膜的相对介电常数除以所述层间绝缘膜的膜厚而得到的值小于4×

10^-6m^-1。由此，例如，层间绝缘膜的膜厚确保

线与扫描线形成的寄生电容的容量抑制为极小的1μm以上的厚度，由电源

值。

另外，也可以构成为：在所述电源线上，设有将各个所述发光像素的

另外，优选：所述辅助布线配置为与所述电源线并行。由此，电位不

以下，参照附图对本发明所涉及的有机EL显示装置的实施方式详细

说明。

图1是本发明的有机EL显示装置所具备的各发光像素10的电路图。

各发光像素10具备开关用薄膜晶体管15、电流控制用薄膜晶体管16、有

机EL元件17以及电容器19。在这里，也一并图示了：电源线11，其用

于供给在有机EL元件17中流动的电流（即连接于电流控制用薄膜晶体管

16的电源线11）；扫描线12，其在该有机EL

地进行

同的电源线与辅助布线交叉的部位减少，所以可抑制由两者接触引起的短

路不良的产生频率。

有机发光层隔离的分隔壁部。由此，成为电源线由作为绝缘体的分隔壁部

覆盖的构造，所以可抑制电源线与其他的布线等接触而引起的短路故障的

产生。

显示装置的画面的行方向走 线且用于传递选择同一行的发光像素10

13，其在该有机EL显示装置的画面的列

线12选择的发光像素10写入的数据（数

的控制信号即扫描信号；数据线

方向走线且用于传递对通过扫描

据电压）；和连接于有机EL元 件17的阴极的基准电源18。

开关用薄膜晶体管15是控制是否将经由数据线13传送来的数据写入

像素10的选择用晶体管。该开关用薄膜晶体管15为例如NMOS晶

栅极连接于扫描线12，漏极和源极的一方连接于数据线13，漏极和

另一方连接于电流控制用薄膜晶体管16的栅极以及电容器19的一

电流控制用薄膜晶体管16是控制在有机EL元件17中流动的电流的

该电流控制用薄膜晶体管16为例如NMOS晶体管，栅极连接于开

膜晶体管15的漏极和源极的另一方以及电容器19的一端，漏极连

源线11以及电容器19的另一端，源极连接于有机EL元件17的阳

流控制用薄膜晶体管16也可以是PMOS。在该情况下，电流控制

晶体管16的源极连接于电源线11，漏极连接于有机EL元件17的

电容器19为连接于电流控制用薄膜晶体管16与电源线11之间的电

为保存从数据线13经由开关用薄膜晶体管15传送来的数据的存储

起作用。

有机EL元件17，从层叠方向的下方按顺序包括下部电极（阳极）、

光层、上部电极（阴极），其阳极连接于电流控制用薄膜晶体管16

其阴极连接于基准电源18。

图2是表示本发明所涉及的有机EL显示装置的剖面的概略图。该有

该发光

体管，

源极的

端。

TFT。

关用薄

接于电

极。电

用薄膜

阳极。

容，作

元件而

有机发

机EL

的源极，

显示装置，从未图示的最下层的基板向上层，按顺序至少具备TFT

层间绝缘膜25、下部电极层23、发光层22以及上部电极层21，既

来自发光层22的光通过上部电极层21而向上方射出的顶部发光构

可以是向下方射出的底部发光构造。

TFT层26是包含形成于未图示的硅基板等基板上的电路以及布线的

体地，是形成有开关用薄膜晶体管15、电流控制用薄膜晶体管16、

19、扫描线12以及数据线13的层。

层间绝缘膜25是形成于TFT层26的至少扫描线和数据线上的、由包

层26、

可以是

造，也

层，具

电容器

含聚酰亚胺、聚丙烯酸等树脂的有机物构成的绝缘层，在顶部发光构造中，

例如是为了在TFT层26上形成下部电极层23而用于将TFT层26平

的平坦化层。该层间绝缘膜25的膜厚设定为，该层间绝缘膜25的相

电常数（ε_r）除以该层间绝缘膜25的膜厚（d）而得到

于4×10^-6m^-1的

该层间绝缘膜

则通过该对向

坦化

对介

的值（ε_r/d）为小

值以上，例如1μm以上。这样的设定是为了，若将夹着

25的对向电极的面积设为S、将真空的介电常数设为ε0，

电极形成的寄生电容C为C=ε_r·ε₀·S/d，所以要使该寄

下部电极层23，在顶部发光构造的情况下，为包含导电体的层，所述

导电体包含铝（Al）、银（Ag）、铜（Cu）、含有其中的2种以上金属的

合金，具体地，是形成有有机EL元件17的下部电极（阳极）、电源线11

以及辅助布线的层。在底部发光构造的情况下，下部电极（阳极）为包含

由氧化铟锡（ITO）、氧化铟锌（IZO）构成的导电体的层，电源线11以

及辅助布线为包含导电体的层，所述导电体包含铝（Al）、银（Ag）、铜

（Cu）、含有其中的2种以上金属的合金。在这里，辅助布线为与有机

EL元件17的上部电极连接的布线。

生电容C小于一定的电容值。

发光层22是形成有有机EL元件17的有机发光层以及用于按每个发

10隔离有机发光层的堤栏即分隔壁部的层。有机发光层既可以包含

有机材料，也可以包含低分子有机材料，所述高分子有机材料含有

烯（PPV）、其衍生物（PPV衍生物）、聚芴（PFO）、其衍生物

光像素

高分子

聚苯乙

（PFO

所述低

基喹啉

以包含

衍生物）、聚螺芴衍生物、聚噻吩、其衍生物等高分子发光材料，

分子有机材料含有类喔星化合物、苝化合物、香豆素化合物、8-羟

化合物的金属配合物和/或其衍生物等低分子发光材料。分隔壁部可

无机物质以及有机物质的任一种，但在包含发光材料的有机材料的

形成中，在包含印刷工序的情况下，由于要求拨水性高，所以

酰亚胺、聚丙烯酸等树脂。另外，在该发光层22，也可以包

层注入空穴的空穴注入层、将来自空穴注入层的空穴向

空穴输送层、向有机发光层注入电子的电子注入层。

优选包含聚

含向有机发光

有机发光层输送的

上部电极层21是形成有有机EL元件17的上部电极（阴极）的层。

电极层21是将全部的发光像素10所包含的有机EL元件17的上部

同连接的、包含氧化铟锡（ITO）等的透明电极，与辅助布线连接。

辅助布线是用于使上部电极的布线电阻即在上部电极产生的电压下

的辅助的布线，称为总线。

接下来，对以上那样构成的本发明所涉及的有机EL显示装置的各层

进行说明。

图3（a）以及（b）是下部电极层23的布局图。图3（a）表示将以红

该上部

电极共

另外，

降减少

详细地

色发光像素用的下部电极（R）、绿色发光像素用的下部电极（G）以及蓝

色发光像素用的下部电极（B）为1组的组配置为行列状的状况。

图3（b）是表示形成于该下部电极层23的下部电极以外的构成要素

线11（11a以及11b）和辅助布线14的位置的图。另外，图3（b）

俯视的位置与图3（a）相对应。如图3（b）所示，在电源线11，

有机EL显示装置的列方向走线的作为干线的电源线11a和从该作

即电源

描绘为

包括在

为干线

的电源

辅助布

与辅助

线14

的电源线11a向行方向延伸而用于与各发光像素的连接的作为支线

线11b。如从图3（b）可知，作为干线的多条电源线11a以及多条

线14配置为在列方向互相并行（或者平行），并且该电源线11a

布线14交替配置。由此，由于消除电位不同的电源线11与辅助布

交叉的部位，所以能够抑制由两者接触引起的短路不良的产生频率。

图4（a）是下部电极层23以及形成于其上的发光层22中的分隔壁部

在图4（a）中，黑色部位表示分隔壁部24的位置。如从图4（a）以

（b）可知，分隔壁部24作为用于将每个发光像素的有机发光层（更

24的布局图。图4（b）以及图4（c）分别是在图4（a）中的AA’线以及

BB’线处剖切时的下部电极层23以及分隔壁部24的剖面图。

及图4

正确地是下部电极）、电源线11与上部电极（阴极）隔离

绝缘膜而形成。 （即电绝缘）的

图5（a）是下部电极层23（在这里包含连接于电流控制用薄膜晶体管

另外，在该图5（a）中，也一并图示了配置于TFT层26的扫描线12

以及数据线13。在这里，仅图示了连接于1组发光像素（红色、绿色以及

16的通孔接触部即第1TFT接触部23a以及第2TFT接触部23b）的布局

图。在这里，第1TFT接触部23a是将构成各发光像素10的电流控制用薄

膜晶体管16的源极与有机EL元件17的下部电极17c连接的通孔接触部。

另一方面，第2TFT接触部23b是将构成各发光像素10的电流控制用薄膜

晶体管16的漏极与电源线11（11b）连接的通孔接触部。

蓝色发光像素）的扫描线12以及数据线13。扫描线12是在该有机EL显

示装置的行方向走线的布线，按每1行的发光像素而配置。另外，数据线

13在该有机EL显示装置的列方向走线，按每1列的发光像素而配置。

以及图5（b）～图5（e）分别是在图5（a）中的CC’线、DD’线、EE’线

FF’线处剖切时的有机EL显示装置的剖面图。

图5（b）是将有机EL显示装置在列方向（CC’线）剖切时的有机EL

图5（c）是将有机EL显示装置在第1TFT接触部23a相并列的线（DD’

显示装置的剖面图。在这里，从下层按顺序，表示TFT层26（在这里为

TFT电路26a、布线26b）、层间绝缘膜25、下部电极层23（在这里为有

机EL元件17的下部电极17c）、发光层22（在这里为有机发光层17b）、

上部电极层21（在这里为有机EL元件的上部电极17a）。另外，TFT电

路26a为开关用薄膜晶体管15、电流控制用薄膜晶体管16以及电容器19。

布线26b是与开关用薄膜晶体管15以及电流控制用薄膜晶体管16的源极、

漏极以及栅极连接的布线。

线）处剖切时的有机EL显示装置的剖面图。在这里，从下层按顺序，表

示TFT层26（在这里为TFT电路26a、数据线13）、层间绝缘膜25、下

部电极层23（在这里为有机EL元件17的下部电极17c、电源线11a）、

发光层22（在这里为分隔壁部24）、上部电极层21（在这里为有机EL

元件的上部电极17a）。另外，在本图中未图示，

极层23，不仅形成有有机EL元件17的下部电

形成有与电源线11a并行并且交替地配置的辅助

但如上所述，在下部电

极17c以及电源线11，还

布线14。

图5（d）是将有机EL显示装置在第2TFT接触部23b相并列的线（EE’

线）处剖切时的有机EL显示装置的剖面图。在这里，从下层按顺序，表

示TFT层26（在这里为TFT电路26a、数据线13）、层间绝缘膜25、下

部电极层23（在这里为电源线11b）、发光层22（在这里为分隔壁部24）、

上部电极层21（在这里为有机EL元件的上部电极17a）。

图5（e）是将有机EL显示装置的发光像素10在行方向（FF’线）处

的有机EL显示装置的剖面图。在这里，从下层按顺序，表示TFT

剖切时

层26

层23

22（在

有机

（在这里为TFT电路26a、数据线13）、层间绝缘膜25、下部电极

（在这里为有机EL元件17的下部电极17c、电源线11a）、发光层

这里为有机发光层17b、分隔壁部24）、上部电极层21（在这里为

EL元件的上部电极17a）。

如这些图5（c）～（e）所示，在下部电极层23，不仅配置有有机EL

另外，为了降低由电源线11与扫描线12以及数据线13形成的寄生电

元件17的下部电极17c，而且也配置有电源线11（11a以及11b）。由此，

电源线11a与配置于TFT层26的扫描线12（图5（a））处于正交的位置

关系，在其交点，夹着具有1μm以上的厚度的层间绝缘膜25而分离。由

此，由电源线11a和包含扫描线12以及数据线13的控制线形成的寄生电

容，与电源线和控制线形成于同一层（例如TFT层）的以往技术相比，进

一步降低，能够向扫描线12以及数据线13传送高频率的信号。另外，电

源线11a与扫描线12，在其交点，按层间绝缘膜25的厚度分离而制造，

所以与电源线和扫描线形成于同一层（例如TFT层）的以往技术相比，可

降低短路不良，提高有机EL显示装置的成品率。

容，在本实施方式中，不设置特别的分离层，而使用用于将TFT层26平

坦化的平坦化层（层间绝缘膜25）。由此，本实施方式中的构造也具有成

本上的优点。

进而，在本实施方式的有机EL显示装置中，在下部电极层23，不仅

有机EL元件17的下部电极17c，也形成有电源线11以及辅助布线

以这些布线能够通过一个布线工艺同时形成，与通过多个制造工艺

制法相比，可削减制造成本。

图6（a）是表示本实施方式中的有机EL显示装置的配置于下部电极

的电源线11a以及辅助布线14与各发光像素10的连接关系的图。图

是表示在下部电极层23不配置电源线11的以往技术中的辅助布线

各发光像素10的连接关系的图。

如从图6（a）可知，在本实施方式的有机EL显示装置中，在下部电

23，电源线11a以及辅助布线14，在有机EL显示装置的列方向互相

且交替地配置，所以在辅助布线14的每1列流动的平均电流为2

形成有

14，所

形成的

层23

6（b）

14与

极层

并行并

列像素

层23

为1列

的量。另一方面，如从图6（b）可知，在以往技术中，在下部电极

仅配置有辅助布线14，所以在辅助布线14的每1列流动的平均电流

像素量。

另外，关于各电源线11a与发光像素的连接关系，也与各辅助布线14

以上，使用实施方式对本发明所涉及的有机EL显示装置进行了说明，

例如，在本实施方式中，在下部电极层23，配置有作为干线而在列方

与发光像素的连接关系同样。即，在本实施方式的有机EL显示装置中，

各电源线11a连接于位于其两侧的发光像素（更严格地说，是发光像素的

电流控制用薄膜晶体管16）。

但本发明并不限定于本实施方式。在不脱离本发明的主旨的范围内，对本

实施方式施加本领域技术人员想出的各种变形而得到的方式也包含于本发

明。

向走线的电源线11a和作为支线而在行方向走线的电源线11b，但也可以

仅配置某一电源线11a或者11b。这是因为，通过将电源线11的至少一部

分形成于层间绝缘膜25上（下部电极层23），能够削减在配置于TFT层

26的扫描线12以及数据线13与电源线11之间形成的寄生电容。

另外，在本实施方式中，层间绝缘膜25设定为1μm以上的膜厚，但

作为更详细的膜厚，既可以设定为在最薄的部位为1μm以上

可以设定为距从形成于TFT层26的扫描线12的层起为1μm

的膜厚，也

以上的膜厚。

另外，在本实施方式中，TFT层包括2个TFT和1个电容，但一般

偿驱动晶体管的特性变动和/或不均一，也提出有包括3个以上TFT

在该情况下，本发明也有效。

另外，在本实施方式中，构成TFT层的晶体管设为NMOS，但既可

PMOS，也可以是NMOS与PMOS混合存在的方式。

另外，在本实施方式中，上部电极设为阴极，但也可以设为阳极。

另外，当然，本发明所涉及的有机EL显示装置不仅可以作为将发光

成为2维状的显示面板而实现，也可以如图7所示的具有薄型平板

TV30那样，作为具备显示面板的各种电子设备而实现。

本发明能够作为有机EL显示装置，例如作为显示面板、具有显示面

视机、便携电话机、计算机用显示器、各种监视器等，尤其作为具

的画面或者高精细的画面的TV、计算机用显示器等而使用。

为了补

的电路。

以设为

像素形

面板的

板的电

有大型