2023年7月17日发(作者：)

5 大规模数字集成电路习题解答 99

自我检测题

1．一个ROM 共有10根地址线，8根位线（数据输出线），则其存储容量为 。

A．10×8 B．102×8 C．10×82 D．210×8

2．为了构成4096×8的RAM，需要 片1024×2的RAM。

A．8片 B．16片 C．2片 D．4片

3．哪种器件中存储的信息在掉电以后即丢失 ？

A．SRAM B．UVEPROM C．E2PROM D．PAL

4．关于半导体存储器的描述，下列哪种说法是错误的 。

A．RAM读写方便，但一旦掉电，所存储的内容就会全部丢失

B．ROM掉电以后数据不会丢失

C．RAM可分为静态RAM和动态RAM

D．动态RAM不必定时刷新

5．有一存储系统，容量为256K×32。设存储器的起始地址全为0，则最高地址的十六进制地址码为 3FFFFH 。

6．真值表如表T5.6所示，如从存储器的角度去理解，AB应看为 地址 ，F0F1F2F3应看为 数据 。

表T5.6

A

0

0

1

1

B

0

1

0

1

F0

0

1

0

1

F1

1

0

1

1

F2

0

1

1

1

F3

1

0

1

0

习 题

1．在存储器结构中，什么是“字”？什么是“字长”，如何表示存储器的容量？

解：采用同一个地址存放的一组二进制数，称为字。字的位数称为字长。习惯上用总的位数来表示存储器的容量，一个具有n字、每字m位的存储器，其容量一般可表示为n×m位。

2．试述RAM和ROM的区别。

解：RAM称为随机存储器，在工作中既允许随时从指定单元内读出信息，也可以随时将信息写入指定单元，最大的优点是读写方便。但是掉电后数据丢失。

ROM在正常工作状态下只能从中读取数据，不能快速、随时地修改或重新写入数据，内部信息通常在制造过程或使用前写入，

3．试述SRAM和DRAM的区别。

解：SRAM通常采用锁存器构成存储单元，利用锁存器的双稳态结构，数据一旦被写 5 大规模数字集成电路习题解答 100

入就能够稳定地保持下去。动态存储器则是以电容为存储单元，利用对电容器的充放电来存储信息，例如电容器含有电荷表示状态1，无电荷表示状态0。根据DRAM的机理，电容内部的电荷需要维持在一定的水平才能保证内部信息的正确性。因此，DRAM在使用时需要定时地进行信息刷新，不允许由于电容漏电导致数据信息逐渐减弱或消失。

4．与SRAM相比，闪烁存储器有何主要优点？

解：容量大，掉电后数据不会丢失。

5．用ROM实现两个4位二进制数相乘，试问：该ROM需要有多少根地址线？多少根数据线？其存储容量为多少？

解：8根地址线，8根数据线。其容量为256×8。

6．现有如图P5.6所示的4×4位RAM若干片，现要把它们扩展成8×8位RAM。

（1）试问需要几片4×4位RAM？

（2）画出扩展后电路图（可用少量门电路）。

A0A1CSD3D2D1D04×4 RAM

图P5.6

解：（1）用4×4位RAM扩展成8×8位RAM时，需进行字数和位数扩展，故需要4片4×4的RAM

（2）扩展后电路如图：

D6D4D2D0D7D5D3D1D3D2D1D04×4 RAMA0A1CSA0A1A2D3D2D1D04×4 RAMA0A1CSD3D2D1D04×4 RAMA0A1CSA0A1CSD3D2D1D04×4 RAM

7．在微机中，CPU要对存储器进行读写操作，首先要由地址总线给出地址信息，然后发出相应读或写的控制信号，最后才能在数据总线上进行信息交流。现有256×4位的RAM二片，组成一个页面，现需4个页面的存储容量，画出用256×4位组成1K×8位的RAM框图，并指出各个页面的地址分配。

解：电路连接图如图所示。从左到右四个页面的地址为：

000H~0FFH，100H~1FFH，200H~2FFH，300H~3FFH。

1 5 大规模数字集成电路习题解答 101

D6D4D2D0D7D5D3D1D0256×4D1RAMD2A0~A7D3CSD0256×4D1RAMD2A~AD307CSD0256×4D1RAMD2A0~A7D3CSD0256×4D1RAMD2A~AD307CSD0256×4D1RAMD2A0~A7D3CSD0256×4D1RAMD2A~AD307CSD0256×4D1RAMD2A0~A7D3CSD0256×4D1RAMD2A~AD307CS88888888A0~A7A8A9A0A1EY0Y1Y2Y3

8．试用4×2位容量的ROM实现半加器的逻辑功能，并直接在图P5.8中画出用ROM点阵图实现的半加法器电路。

与逻辑阵列A1B1SiCi或逻辑阵列

图P5.3

A1与逻辑阵列A1与逻辑阵列B1SiCiB1SiCi或逻辑阵列或逻辑阵列 5 大规模数字集成电路习题解答 102

解：由于半加器的输出SiABAB

CiAB

所以ROM点阵图如图所示。

9．用EPROM实现二进制码与格雷码的相互转换电路，待转换的代码由I3I2I1I0输入，转换后的代码由O3O2O1O0输出。X为转换方向控制位，当X=0时，实现二进制码到格雷码的转换；当X=1时，实现格雷码到二进制码的转换。试求：

（1）列出EPROM的地址与内容对应关系真值表；

（2）确定输入变量和输出变量与ROM地址线和数据线对应关系。

解：真值表为：

X

0

0

0

0

0

0

0

0

0

0

0

0

0

0

0

0

1

1

1

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1

1

1

1

1

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I3

0

0

0

0

0

0

0

0

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0

0

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I2

0

0

0

0

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1

0

0

0

0

1

1

1

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0

0

0

0

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1

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0

0

0

I1

0

0

1

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0

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I0

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0

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O3

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O2

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0

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0

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O1

0

0

1

1

1

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0

0

0

0

1

1

1

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0

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0

1

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0

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0

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O0

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1 5 大规模数字集成电路习题解答 103

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0

输入变量和输出变量与ROM地址线和数据线对应关系如图所示：

32×4 RAMXI3I2I1I0A4A3A2A1A0D3D2D1D0O3O2O1O0