2023年7月17日发(作者:)
项目七习题
一、填空题
1.半导体存储器分为 和 两类,二者最大的区别是 。
2.ROM常可分为 、 、 及 。
3.RAM根据存储单元的不同可分为 和 两类。
4.存储器的存储容量是指 ,一个16384个存储单元的ROM,每个字8位,它应有个 字,有 条数据线和 条地址线。
5.一个容量为256×4位的RAM,应有 个基本存储单元,每次访问 个基本存储单元,有 条数据线和 条地址线。
6.存储器容量的扩展有 、 、 三种方式。
7.PLD根据阵列和输出结构的不同,可分为 、 、 和 四种基本类型。
8.PLD的基本结构由 、 、 和 四部分组成。
9.PROM与阵列 ,或阵列 。
10.PLA的与阵列 ,或阵列 。
11.GLA的与阵列 ,或阵列 。
二.选择题
1.只能读出数据,不能更改数据的存储器是( )
A.RAM B.ROM C.PROM D.EPPROM
2.1024×4位的RAM芯片,其他地址线的个数为( )
A.4 B.8 C.10 D.210
3.EPPROM是指( )
A.随机读写存储器 B.可编程逻辑器件
C.可编程只读存储器 D.可擦除可编程只读存储器
4.将256×1位的ROM扩大为1024×8位ROM,共需( )片256×1位的ROM
A.32 B.10 C.16 D.64
5.已知某计算机的内存设置有32根地址线,16位并行输入/输出数据线,则它的最大存储量是( )位 A.32×16 B.232×16 C.216×16 D.216×32
6.用ROM实现逻辑设计时,要求ROM的与阵列必须产生( ),而用PLA实现逻辑设计时,只要产生( )
A.n变量的2n个最小项;n个与项
B.n变量的2n个最大项;n个或项
C.n变量个与项;n变量的2n个最小项
D.n个或项;2n个或项
三.分析题
1.将存储器容量为1K×4的RAM扩展成存储容量为1K×8的RAM。
2.将存储容量为1K×8的RAM扩展成4K×8的RAM。
3.用PLA实现下图所示的1位二进制数值比较器.
1位二进制数值比较器
A
COMP
B
YA﹥B
YA﹤B
YA=B
第七章习题答案
一、
1、 ROM, RAM, 存取方式不同
2、 MROM, PROM, E2PROM
3、 SRAM, DRAM
4、 存储单元的总和, 211, 8, 11
5、 1024, 4, 8
6、 字扩展, 位扩展, 字位扩展
7、 PROM, PLA, PAL, GAL
8、 输入电路, 与阵列, 或阵列, 输出电路
9、 固定, 可编程
10、 可编程, 可编程
11、 可编程, 固定
二、
1、B 2、C 3、D 4、A 5、B 6、A
三、1、解: 因为(1K×8)/(1K×4)=2,所以需要2片1K×4的RAM。
又,1K=210,所以需要10根地址线。 扩展连接如下图所示。
2、解:因为(4K×8)/(1K×8)= 4,所以需要4片1K×8的RAM。
又,4K=212,所以组成4K的存储器共需要12根地址线。
而,1K=210,所以10根作字选线,选择存储器芯片内的单元 。
地址A10、A11可利用2线-4线二进制译码器74LS139,以产生片选信号,分别去选通4片存储器芯片,从而实现字扩展。如果要扩展3位地址,则可选用3线-8线二进制译码器74LS138。
扩展连接如下图所示。
I/O7
·
·
I/O0
·
●
● ●
I/O7 I/O6 I/O5 I/O4
I/O3 I/O2 I/O1 I/O0
I/O3 I/O2 I/O1I/O0
1K×4(Ⅱ)
A0 A1···A9 R/W
CS
A0
···
●
A1
·
●
A9
··
●
R/W
CS
I/O3 I/O2 I/O1I/O0
1K×4(Ⅰ)
A0 A1···A9 R/W
CS
···
●
●
● ●
●
···
I/O0···I/O7
1K×8(Ⅰ)
R/W A0···A9
CS
●
···
I/O0···I/O7
1K×8(Ⅱ)
R/W A0···A9
CS
●●···
I/O0···I/O7
1K×8(Ⅲ)
R/W A0···A9
CS
●···
I/O0···I/O7
1K×8(Ⅳ)
R/W A0···A9
CS
R/W
A0
···
●●
···
●···
●●···
A9
··
·X0 Y0
Y1
74LS139
Y2
X1 Y3
A11
3、解:两个1位二进制数A、B进行比较,有3种情况:A﹥B,A﹤B和A=B。其最简逻辑表达式为YA﹥B=AB,YA﹤B=AB,YA=B=A•B +AB
根据上面的式子,可画出由PLA实现的数值比较器的阵列结构图,如下图所示。
A B
×
×
×
×
×
×
×
×
×
×
×
×
YA﹥B YA=B YA﹤B
由PLA实现一位二进制数值比较器
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