2024年5月14日发(作者：神舟笔记本电脑型号大全)

mos管 参数

MOS管（Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor），

即金属氧化物半导体场效应晶体管，是一种常见的半导体器件，具有

许多重要的参数。以下是MOS管的主要参数：

1. 额定电压VRMS：指管子所能承受的高直流电压值。

2. 额定电流IS：指管子所能承载的大直流电流值。

3. 高耐压VSSS：指管子能够承受的高交流电压峰值。

4. 小通态压降VDIF：指大允许泄漏量。

5. 正向电阻rds（only）：正向导电性。

6. 反向电阻rdg（only）：反向导电性。

7. 导通延迟tdi（only）：正向偏置下导通的延迟。

8. 截止频率ftoff ：截止状态下导通的小周期数。

9. 阈值电压threshold voltage（including threshold voltages and thresh

trimmed gate volts）：当流过二极管的电流超过某一数值后晶体管开

始饱和并逐渐减小到稳定状态时的临界电压。

10. 阈值功率threshold power ：当流过二极管的电流超过某一数值时晶

体管开始饱和并逐渐减少到稳定状态时的临界功率。

11. 存储温度范围TSTG：器件设计的工作条件下须确应避免超过这个温

度，并留有一定裕量。

12. 静态参数V(BR)DSS：漏源击穿电压，是指栅源电压VGS为0时，

场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压，是一项极限参数，加在

场效应管上的工作电压必须小于V(BR)DSS。

13. △V(BR)DSS/△Tj ：漏源击穿电压的温度系数，一般为0.1V/℃。

14. RDS(on)：在特定的VGS（一般为10V）、结温及漏极电流的条件下，

MOSFET导通时漏源间的最大阻抗。

15. VGS(th)：开启电压（阀值电压），此参数一般会随结温度的上升而

有所降低。

16. IDSS：饱和漏源电流，栅极电压VGS=0、VDS为一定值时的漏源电

流。

以上是mos管的一些重要参数，不同的mos管参数可能会有所不同。