2024年5月4日发(作者：win10怎么更新directx)
NandFlash关于Plane的补充
Nand Flash数据存储方式和数据读写方法
Nand Flash 关于Plane的补充
Linux嵌入式学习笔记 2009-01-13 16:57:59 阅读93 评论0 字号：大中小
写在前面：这个作为一个nand的补充，这个只是结构上的一点补充，实际对nand
操作的时候不会用到
plane这个概念。
其实NAND FLASH还被组织成一种形式，就是把整个NAND FLASH分成四个层
(plane)，每层1024块，每
层里还有个528字节的页寄存器，所以说的话，A14~A15是用于plane寻址的，正
好4种情况。其余的用于
1024块寻址。
NAND Flash的访问速度不仅仅取决于I/O速度，还和Array传输时间、芯片内部缓
冲结构和Plane数量
有关。
Micron的NAND Flash的一大特点是：每一个Plane对应一个Page大小的缓冲
（data register）和一
个Page大小的缓存（cache register）。数据写入的顺序是：I/O -> cache register
-> data
register -> Plane，数据读出的顺序刚好相反。缓冲（data register）与缓存
（cache register）之
间的数据传输速度很快，data register可以把I/O操作和Array操作分隔开，形成
I/O操作和Array操作的
“两级流水线”。这种结构与上一代NAND Flash一样。（其实，4个Plane对应4
个data register和1个
cache register即可）
4个Plane对应4组缓冲与缓存，每一组可以分别操作。2个Plane交替操作，可以
实现“乒乓操作”，
达到2倍的Array访问带宽。4个Plane交替操作，可以实现“乒乒乓乓操作”，达
到4倍的Array访问带宽
。在上一代的NAND Flash芯片中，采用2Plane结构是比较常见的。
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