2024年4月11日发(作者：)

半导体行业术语

1 Active Area 主动区（工作区） 主动晶体管（ACTIVE TRANSISTOR）被制造的

区域即所谓的主动区（ACTIVE AREA）。在标准之MOS制造过程中ACTIVE AREA是由

一层氮化硅光罩即等接氮化硅蚀刻之后的局部场区氧化所形成的，而由于利用到局部场氧

化之步骤，所以ACTIVE AREA会受到鸟嘴（BIRD’S BEAK）之影响而比原先之氮化硅

光罩所定义的区域来的小，以长0.6UM之场区氧化而言，大概会有0.5UM之BIRD’S

BEAK存在，也就是说ACTIVE AREA比原在之氮化硅光罩所定义的区域小0.5UM。

2 ACTONE 丙酮 1. 丙酮是有机溶剂的一种，分子式为CH3COCH3。2. 性质为无色，

具刺激性及薄荷臭味之液体。3. 在FAB内之用途，主要在于黄光室内正光阻之清洗、擦拭。

4. 对神经中枢具中度麻醉性，对皮肤黏膜具轻微毒性，长期接触会引起皮肤炎，吸入过量

之丙酮蒸汽会刺激鼻、眼结膜及咽喉黏膜，甚至引起头痛、恶心、呕吐、目眩、意识不明

等。5. 允许浓度1000PPM。

3 ADI 显影后检查 1.定义：After Developing Inspection 之缩写2.目的：检查黄

光室制程；光阻覆盖→对准→曝光→显影。发现缺点后，如覆盖不良、显影不良…等即予

修改，以维护产品良率、品质。3.方法：利用目检、显微镜为之。

4 AEI 蚀刻后检查 1. 定义：AEI即After Etching Inspection，在蚀刻制程光阻去

除前及光阻去除后，分别对产品实施全检或抽样检查。2.目的：2-1提高产品良率，避免

不良品外流。2-2达到品质的一致性和制程之重复性。2-3显示制程能力之指针2-4阻止

异常扩大，节省成本3.通常AEI检查出来之不良品，非必要时很少作修改，因为重去氧化

层或重长氧化层可能造成组件特性改变可靠性变差、缺点密度增加，生产成本增高，以及

良率降低之缺点。

5 AIR SHOWER 空气洗尘室 进入洁净室之前，需穿无尘衣，因在外面更衣室之故，

无尘衣上沾着尘埃，故进洁净室之前，需经空气喷洗机将尘埃吹掉。

6 ALIGNMENT 对准 1. 定义：利用芯片上的对准键，一般用十字键和光罩上的对准

键合对为之。2. 目的：在IC的制造过程中，必须经过6~10次左右的对准、曝光来定义

电路图案，对准就是要将层层图案精确地定义显像在芯片上面。3. 方法：A.人眼对准B.

用光、电组合代替人眼，即机械式对准。

7 ALLOY/SINTER 熔合 Alloy之目的在使铝与硅基(Silicon Substrate)之接触有Oh

mic特性，即电压与电流成线性关系。Alloy也可降低接触的阻值。

8 AL/SI 铝/硅 靶 此为金属溅镀时所使用的一种金属合金材料利用Ar游离的离子，

让其撞击此靶的表面，把Al/Si的原子撞击出来，而镀在芯片表面上，一般使用之组成为A

l/Si (1%)，将此当作组件与外界导线连接。

9 AL/SI/CU 铝/硅 /铜 金属溅镀时所使用的原料名称，通常是称为TARGET，其成

分为0.5﹪铜，1﹪硅及98.5﹪铝，一般制程通常是使用99﹪铝1﹪硅，后来为了金属电

荷迁移现象（ELEC TROMIGRATION）故渗加0.5﹪铜，以降低金属电荷迁移。

10 ALUMINUN 铝 此为金属溅镀时所使用的一种金属材料，利用Ar游离的离子，

让其撞击此种材料做成的靶表面，把Al的原子撞击出来，而镀在芯片表面上，将此当作组

件与外界导线之连接。

11 ANGLE LAPPING 角度研磨 Angle Lapping 的目的是为了测量Junction的深

度，所作的芯片前处理，这种采用光线干涉测量的方法就称之Angle Lapping。公式为X