2024年4月11日发(作者：)
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这里我想以一个纯玩家的角度来谈谈关于NAND Flash的底层结构和解析，可能会有错误
的地方，如果有这方面专家强烈欢迎指正。
NAND Flash作为一种比较实用的固态硬盘存储介质，有自己的一些物理特性，需要有基
本的管理技术才能使用，对设计者来说，挑战主要在下面几点：
1.需要先擦除才能写入。
2.损耗机制，有耐久度限制。
3.读写时候造成的干扰会造成数据出错。
4.数据的保存期。
5.对初始和运行时候的坏块管理。
只有至少满足这些基本的管理技术，才能让NAND Flash成为一款可以使用的固态存储介
质。（这里还没有谈到任何关于性能的地方，因为那是这些基本条件满足后的事。）
当满足了上面的5点后，才该谈到稳定，性能，耐久度，影响这些的5大因素为：
和MLC
2.平衡磨损算法
3.透过坏块管理技术确保数据的完整性。
4.使用错误检测和校正技术
5.写入放大
只有满足了这些条件，才能得到一款理想中的完美的固态硬盘。
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Flash全名叫做Flash Memory，属于非易失性存储设备(Non-volatile Memory
Device)，与此相对应的是易失性存储设备(Volatile Memory Device)。关于什么是非易
失性/易失性，从名字中就可以看出，非易失性就是不容易丢失，数据存储在这类设备中，
即使断电了，也不会丢失，这类设备，除了Flash，还有其他比较常见的如硬盘，ROM等，
与此相对的，易失性就是断电了，数据就丢失了，比如大家常用的内存，不论是以前的
SDRAM，DDR SDRAM，还是现在的DDR2，DDR3等，都是断电后，数据就没了。
Flash的内部存储是金属-氧化层-半导体-场效晶体管(MOSFET)，里面有个悬浮门
(Floating Gate)，是真正存储数据的单元。
数据在Flash内存单元中是以电荷(electrical charge) 形式存储的。存储电荷的多少，取
决于图中的控制门（Control gate）所被施加的电压，其控制了是向存储单元中冲入电荷
还是使其释放电荷。而数据的表示，以所存储的电荷的电压是否超过一个特定的阈值Vth 来
表示。
1.对于NAND Flash的写入（编程)，就是控制Control Gate去充电（对Control Gate
加压），使得悬浮门存储的电荷够多，超过阈值Vth，就表示0。
2.对于NAND Flash的擦除(Erase)，就是对悬浮门放电，低于阀值Vth，就表示1。
NAND Flash的架构:
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