芯片之家 XL6600-2 系列 汽车级 32 位低功耗高性能微控制器 MCU 数据手

芯片之家 XL6600-2 系列 汽车级 32 位低功耗高性能微控制器 MCU 数据手


2024年2月8日发(作者:)

XL6600-2系列

汽车级32位低功耗高性能微控制器MCU

数据手册

支持以下产品:

XL6600A522L6 XL6600A502L6

XL6600A422L6 XL6600A402L6

XL6600A522L7 XL6600A502L7

XL6600A422L7 XL6600A402L7

XL6600A522L8 XL6600A502L8

XL6600A422L8 XL6600A402L8

REV.15

Chipways confidential Preliminary XL6600-2 Series Datasheet A.15

CHIPWAYS

目录

1 产品概述 -------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 2

1.1 关键功能 ----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 2

1.2 选型指南 ----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 3

1.3 缩写词 -------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 4

结构图 ----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 5

通用参数 -------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 6

3.1 电压和电路极限参数 ------------------------------------------------------------------------------------------------------- 6

3.2 温度极限参数 ---------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 6

3.3 湿度极限参数 ---------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 6

3.4 ESD极限参数 ---------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 6

3.5 EMC性能 --------------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 7

电特性 ----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 8

4.1 DC特性 ------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------ 8

4.2 LVD和POR特性 ----------------------------------------------------------------------------------------------------------- 9

4.3 供电电流特性 ---------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 9

I/O参数 -------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 12

5.1 控制时序 ---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 12

5.2 弹性定时器模块时序 ------------------------------------------------------------------------------------------------------ 13

热特性 ---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 14

6.1 热特性 ------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 14

外设工作要求与特性 --------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 15

7.1 SWD电气特性 -------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 15

7.2 系统振荡器(OSC)和ICS特性 -------------------------------------------------------------------------------------- 16

7.3 NVM规格 -------------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 17

7.4 ADC特性 -------------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 18

7.5 模拟比较器(ACMP)电气规格 --------------------------------------------------------------------------------------- 20

7.6 SPI开关规格 ---------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 20

7.7 CAN特性 -------------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 23

封装与Pin脚 ------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 24

8.1 芯片尺寸 ---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 24

8.2 引脚分配 ---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 26

2

3

4

5

6

7

8

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CHIPWAYS

1 产品概述

1.1 关键功能

• 内核及性能

ARM® Cortex-M3内核,32位MCU

最大至96 MHz内核频率

基于ARMv7-M架构和Thumb 2技术的指令集架构

单周期32位 x 32位乘法器

硬件除法(2-12个周期)

可嵌套向量的中断控制器 (NVIC)

支持存储器保护单元(MPU)

支持串行线调试接口(SWD)

• 直接内存存取(DMA)

4通道

支持外设到存储器、外设到外设、存储器到存储器、存储器到外设4种控制模式

• 时钟

内部时钟源(ICS):包含内部基准时钟37.5/50kHz RC振荡器及锁频环(FLL);

系统振荡器(OSC):支持32.768kHz晶振4MHz~24MHz晶振或陶瓷谐振器;

低功耗振荡器(LPO):内部32KHz LPO

• 模拟模块

模数转换器(ADC):1个24通道的12位SAR ADC,12/10/8位可配置

模拟比较器(ACMP):2个可配置参考输入的ACMP,包含1个6位DAC

• 存储器和存储器接口

最高256 KB Flash(带ECC)

最高24 KB SRAM

最高8 KB EEPROM

• 电源管理

电源管理模块(PMC):有三种工作模式Run、Wait 和 Stop;

低电压检测(LVD):可复位、中断并带可选跳变点,具有低压警报

带隙基准源(BVR):具有缓冲的带隙基准电压输出

• 安全性和可靠性

每颗芯片拥有96位唯一标识(ID)号

内部看门狗(WDOG):带独立时钟源

外部看门狗(EWM):可选外部时钟源,计数时钟分频可配置

循环冗余校验(CRC):16或32位,可编程模块

错误检测和纠正(ECC):闪存Flash带ECC功能

加密(SEC):安全电路以防止对RAM和闪存内容未经授权的访问

• 人机接口

最多66个通用输入/输出(GPIO)

2个32位键盘中断模块(KBI)

外部中断模块(IRQ)

• 定时器

最多1个8通道和2个4通道的弹性定时器(FTM)/PWM

1个2通道周期性中断定时器(PIT)

1个脉宽定时器(PWT)

1个实时时钟(RTC)

定时器预分频(Timer pre-scale)

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CHIPWAYS

• 通信接口

1路SPI接口

最高3路UART接口,均兼容LIN接口

最高2路I2C接口

1路CAN接口,支持CAN 2.0A、2.0B

• 封装选项

80引脚LQFP

64引脚LQFP

48引脚LQFP

• 电压范围

2.7 ~ 5.5 V

• 温度选项

–40°C 至125°C(通过针对汽车应用的AEC-Q100 认证)

1.2 选型指南

表1-1 型号选择

产品型号

XL6600A522L6

XL6600A502L6

XL6600A422L6

XL6600A402L6

XL6600A522L7

XL6600A502L7

XL6600A422L7

XL6600A402L7

XL6600A522L8

XL6600A502L8

XL6600A422L8

XL6600A402L8

Flash

256KB

128KB

256KB

128KB

256KB

128KB

SRAM

24KB

16KB

24KB

16KB

24KB

16KB

EEPROM

8KB

0KB

8KB

0KB

8KB

0KB

8KB

0KB

8KB

0KB

8KB

0KB

CAN

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

SPI I2C UART/LIN 封装

1 2 3/3

1 3/3

2

LQFP-48

1 3/3

2

1 3/3

2

1 3/3

2

1 3/3

2

LQFP-64

1 3/3

2

1 3/3

2

1 3/3

2

1 3/3

2

LQFP-80

1 3/3

2

1 3/3

2

工作温度

-40℃

125℃

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1.3

CHIPWAYS

缩写词

文档中使用的缩略词和专业术语。见表1。

表1

缩略词

ACMP

ADC

AWIC

BME

BVR

CRC

CAN

CLM

DC

ECC

EMC

ESD

EWM

FLL

FMC

FTM

GPIO

ICS

I2C

IRQ

KBI

LPO

LVD

NVIC

OSC

PIT

PMC

PWT

RTC

SMC

SRAM

SPI

SWD

UART

WDOG

WDT

缩略词

全称

Analog Comparator

Analog to Digital Converter

Asynchronous Wake-up Interrupt Controller

Bit manipulation engine

Bandgap voltage reference

Cyclic Redundancy Check

Controller Area Network

Clock Monitor

Direct Current

Error-Correcting Code

Electro Magnetic Compatibility

Electronic Static Discharge

External Watchdog Monitor

Frequency-locked loop

Flash Memory Controller

Flex Timer Module

General Purpose Input/Output

Internal Clock Source

Inter-Integrated Circuit

Interrupt

Keyboard Interrupt

Low Power Oscillator

Low Voltage Detection

Nested Vectored Interrupt Controller

Oscillator

Periodic Interrupt Timer

Power Management Module

Pulse Width Timer

Real Time Clock

SRAM Memory Controller

Static Random Access Memory

Serial Peripheral Interface

Serial Wire Debug

Universal Asynchronous Receiver Transmitter

Watch Dog

Watch Dog Timer

名称

模拟比较器

模数转换器

异步唤醒中断控制器

位操作引擎

带隙电压基准

循环冗余校验

控制器局域网络

时钟监视器

直流电流

错误纠正码

电磁兼容性

静电放电

外部看门狗监视器

锁频环

闪存控制器

弹性定时器模块

通用输入/输出

内部时钟源

集成电路总线

外部中断

键盘中断

低功耗振荡器

低压检测

可嵌套向量的中断控制器

系统振荡器

周期性中断定时器

电源管理控制器

脉宽定时器

实时计数器

SRAM内存控制器

静态随机存取存储器

串行外设接口

串行线调试

通用异步收发器

看门狗

看门狗定时器

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2 结构图

XL6600-2系列芯片结构图如下所示

图 2-1 芯片结构图

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3 通用参数

3.1 电压和电路极限参数

绝对最大极限仅为应力极限,并不保证最大值时的功能操作。超过下表中指定的应力可能影响器件的可靠性或对器件造成永久性损坏。有关功能操作条件的更多信息,请参阅此文档中的其他表格。

该器件包含防止高静态电压或电场造成损坏的电路,但建议采取预防措施,以避免实际应用中高于额定电压的输入造成这部分电路的损坏。未用输入引脚连接到适当的逻辑电压电平(例如,VSS 或 VDD)或使能相关引脚的内部上拉电阻,可增强系统的可靠性。

表3-1 电压和电流操作极限

符号

VDD

IDD

VIN

数字供电电压

流入VDD的最大电流

说明 最小值

–0.3

–0.3

–0.3

–25

VDD– 0.3

最大值

6.0

120

VDD

+ 0.31

6

25

VDD + 0.3

单位

V

mA

V

V

mA

V

除有效开漏引脚之外的输入电压

有效开漏引脚的输入电压

ID

VDDA

单引脚瞬态最大电流限值(适用于所有端口引脚)

模拟供电电压

1、最大额定VDD也适用于VIN。

3.2 温度极限参数

表3-2 温度

符号

TSTG

存储温度

说明 最小值

–55

最大值

150

单位

° C

° C

注释

1

2

无铅焊接温度

TSDR — 260

1、根据JEDEC标准JESD22-A103“高温存储时间”确定。

2、根据IPC/JEDEC标准J-STD-020“非密封固态表面安装器件的潮湿/回流敏感度分级”确定。

3.3 湿度极限参数

说明

湿度灵敏度等级

最小值

最大值

3

单位

注释

1

表3-3 湿度

符号

MSL

1、根据 IPC/JEDEC 标准 J-STD-020“非密封固态表面安装器件的潮湿/回流敏感度分级”确定。

3.4

ESD极限参数

表3-4 ESD

符号

VHBM

VCDM

ILAT

说明

静电放电电压,人体放电模式

静电放电电压,设备充电模式

125°C 环境温度下的闭锁电流

最小值

–8000

–500

–100

最大值

+8000

+500

+100

单位

V

V

mA

注释

1

2

3

1、根据 JEDEC 标准 JESD22-A114“静电放电(ESD)灵敏度测试人体放电模式(HBM)标准”确定。

2、根据 JEDEC 标准 JESD22-C101“微电子组件静电放电耐压阈值的电场感应器件充电模式测试方法”确定。

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3、根据 JEDEC 标准 JESD78D“IC 闭锁测试”确定。

3.5 EMC性能

电磁兼容(EMC)性能很大程度上取决于 MCU 所处的环境。外部组件的电路板设计 和布局、电路拓扑选择、位置和特性以及MCU软件操作在EMC性能中起重要作用。

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4 电特性

4.1 DC特性

本节包括有关电源要求和I/O引脚特性的信息。

表 4-1 DC特性

符号

VOH

输出高电压

工作电压

说明

最小值

2.7

VDD

– 0.8

VDD

– 0.8

VDD

– 0.8

VDD

– 0.8

0.65 ×VDD

0.70 ×VDD

0.06 ×VDD

30.0

典型值

1

0.1

3

最大值

5.5

–100

–60

0.8

0.8

0.8

0.8

100

60

0.35

×VDD

0.30

×VDD

1

50.0

单位

V

V

V

V

V

mA

V

V

V

V

mA

V

V

IOHT

VOL

输出高电流

输出低电压

除 PTA22 和 PTA32 外所5 V,Iload

=–5mA

3 V,Iload

=–2.5mA

有I/O 引脚,标准驱动强度

5 V,Iload

=–20mA

大电流驱动引脚,高驱动强度

3

3 V,Iload

=–10mA

所有端口的最大总输出高5 V

电 流 IOH

3 V

5 V,Iload

= 5 mA

所有 I/O 引脚,标准驱动强度

3 V,Iload

= 2.5 mA

5 V,Iload

=20 mA

大电流驱动引脚,高驱动强度

3

3 V,Iload

= 10 mA

所有端口的最大总输出低电流 IOL

全部数字输入

全部数字输入

5 V

3 V

4.5≤VDD <5.5 V

2.7≤VDD <4.5 V

4.5≤VDD <5.5 V

2.7≤VDD <4.5 V

IOLT

VIH

VIL

输出低电流

输入高电压

输入低电压

Vhys

|IIn|

|IINTOT|

RPU

输入迟滞

输入漏电流

全部数字输入

每个引脚(高阻抗输入模式下的引脚)

VIN

= VDD 或 VSS

VIN

= VDD 或 VSS

mV

µA

µA

kΩ

所有端口引脚高阻抗输入模式下的引脚

的总漏电流

上拉电阻

所有数字输入并使能内部上 拉(除PTA2和PTA3外的 所有I/O引脚)

PTA2引脚和PTA3引脚

单引脚限值

总 MCU 限值,包括所有应 力引脚的总和

RFU

4

IIC

上拉电阻

DC注入电流5, 6, 7

VIN

<

VSS,

VIN

>

VDD

30.0

-2

-5

1.5

50.0

2

25

7

kΩ

mA

CIn

VRAM

输入电容,所有引脚

RAM保留电压

1.35

pF

V

1、 典型值在 25℃时测得。经过 CZ,没有经过测试。

2、 PTA2 和 PTA3为开漏输出。

3、仅PTB4、 PTB5、PTD0,PTD1、PTE0、PTE1、PTH0 及 PTH1 支持大电流输出。

4、所指电阻值是该器件的内部实际值。在引脚外部测量时,上拉值可能更高。

5、除 PTA2 和 PTA3 外所有非电源功能引脚在内部钳制到 VSS 和 VDD 之间。PTA2 和 PTA3 是在内部将电压钳位为 VSS

的有效开漏 I/O 引脚。

6、当前输入必须限定为指定的电流值。要确定所需限流电阻的值,请计算正负钳位电压的电阻值,然后采用最大值。

7、在瞬态和最大工作电流条件下,电源必须保持在VDD工作范围内进行调节的能力。如果正注入电流(VIn > VDD)高于IDD,则注入电流可能流出VDD,并导致外部电源失调。MCU 不消耗电能时,如没有系统时钟,或时钟频率极低(这将降低整体电Chipways confidential XL6600-2 Series Datasheet A.15

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量消耗),就要确保外部VDD负载的分流电流高于最大注入电流。

4.2 LVD和POR特性

符号 说明

POR重置电压

1

下降沿低压检测阈值 — 高量程(LVDV = 1)2

下降沿低压警告阈值 — 高量程

1级压降

(LVWV= 00)

2级压降

(LVWV=01)

3级压降

(LVWV=10)

4级压降

(LVWV=11)

高量程警告迟滞

下降沿低压检测阈值 — 低量程(LVDV = 0)

下降沿低压警告阈值 — 低量程

1级压降

(LVWV= 00)

2级压降

(LVWV=01)

3级压降

(LVWV=10)

4级压降

(LVWV=11)

低量程低压检测迟滞

低量程低压警告迟滞

最小值

1.5

4.2

4.3

4.4

4.5

4.6

90

2.5

2.62

2.72

2.82

2.92

典型值

1.75

4.3

4.4

4.5

4.6

4.7

100

2.55

2.7

2.8

2.9

3.0

40

80

1.16

最大值

2.0

4.4

4.5

4.6

4.7

4.8

110

2.6

2.78

2.88

2.98

3.08

1.18

单位

V

V

V

V

V

V

mV

V

V

V

V

V

mV

mV

V

表 4-2 LVD和POR规格

VPOR

VLVDH

VLVW1H

VLVW2H

VLVW3H

VLVW4H

VHYSH

VLVDL

VLVW1L

VLVW2L

VLVW3L

VLVW4L

VHYSDL

VHYSWL

VBG

1.14

经过缓冲的带隙输出

3

1、最大值是 POR 可以保证的最高电压值。

2、上升沿阈值 = 下降沿阈值 + 迟滞电压

3、电压已在 VDD = 5.0 V,Temp = 25 °C 下进行出厂调整

4.3 供电电流特性

表 4-3 供电电流特性

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CHIPWAYS

参数

FEI 模式下运行电流值,使能 所有模块时钟;从 Flash

运行

符号

RIDD

内核/总线频率

48/48 MHz

48/24 MHz

24/24 MHz

12/12 MHz

1/1 MHz

48/48 MHz

48/24 MHz

24/24 MHz

12/12 MHz

1/1 MHz

FEI 模式下运行电流值,禁用 并门控所有模块时钟;从

Flash 运行

RIDD

48/48 MHz

48/24 MHz

24/24 MHz

12/12 MHz

1/1 MHz

48/48 MHz

48/24 MHz

24/24 MHz

12/12 MHz

1/1 MHz

FBE 模式下运行电流值,使能 所有模块时钟;从 RAM

运行

RIDD

48/48 MHz

48/24 MHz

24/24 MHz

12/12 MHz

1/1 MHz

48/48MHz

48/24 MHz

24/24 MHz

12/12 MHz

1/1 MHz

FBE 模式下运行电流值,禁用 并门控所有模块时钟;从

RAM 运行

RIDD

48/48 MHz

48/24 MHz

24/24 MHz

12/12 MHz

1/1 MHz

48/48 MHz

48/24 MHz

24/24 MHz

12/12 MHz

1/1 MHz

FEI 模式等待电流值,使能所 有模块时钟

WIDD

48/48 MHz

48/24 MHz

5

3.3

5

3.3

5

3.3

5

3.3

VDD

(V)

5

典型值

1

31.6

19.72

18.22

14.9

5.16

31.3

19.5

17.96

11.38

5.09

17.22

最大值

— mA

-40 至 125 °C

单位

mA

温度

-40 至 125 °C

12.3

10.78

7.52

4.51

17.16

12.22

10.7

7.4

4.44

32.55

20.3

18.69

11.94

5.33

32.5

20.25

18.6

11.82

5.33

18.79

13.34

11.75

8.36

19.542

19.652

12.162

12.052

mA

-40 至 125 °C

mA

-40 至 125 °C

mA

-40 至 125 °C

4.85

18.66

13.23

11.64

8.21

4.78

25.7

16.78

Chipways confidential XL6600-2 Series Datasheet A.15

CHIPWAYS

24/24 MHz

12/12 MHz

1/1 MHz

48/48 MHz

48/24 MHz

24/24 MHz

12/12 MHz

1/1 MHz

Stop模式电流,无时钟激活(除32kHz LPO时钟)3

LVD使能下的Stop模式电流4

SIDD

— —

5

3.3

5

3.3

15.2

12.9

5.22

25.45

15.612

15.522

1832

1832

µA

µA

-40 至 125 °C

-40 至 125 °C

16.53

15

11.46

4.9

4

3.6

38

3.3 37.8

1、典型列里的数据在 5.0 V、25 °C 条件下统计值或是推荐值。

2、在高温下可观察到最大电流。

3、典型情况下,RTC会导致IDD增加不超过1µA;RTC时钟源为32kHz LPO时钟。

4、以 5%占空比定期将LVD从Stop状态唤醒。周期等于或短于2 ms。

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CHIPWAYS

5 I/O参数

5.1 控制时序

表5-1 控制时序

编号

1

2

3

4

5

6

7

8

系统和内核时钟

总线频率 (tcyc

= 1/fBus)

内部低功耗振荡器频率

外部复位脉冲宽度

2

复位低驱动

IRQ脉冲宽度

键盘中断脉冲宽度

端口上升和下降时间 —

标准驱动强度

(负载 = 50 pF)4

端口上升和下降时间 —

高驱动强度

(负载 = 50 pF)4

极限 符号

fSys

fBus

fLPO

textrst

trstdrv

异步路径

2

同步路径

3

异步路径

2

同步路径

tILIH

tIHIL

tILIH

tIHIL

tRise

tFall

— tRise

tFall

最小值

DC

DC

21

460

34 ×tcyc

100

1.5 ×tcyc

100

1.5 ×tcyc

典型值

1

32.0

10.2

9.5

最大值

96

48

40

单位

MHz

MHz

KHz

us

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

3

2.8

1、除非另有说明,否则典型值是指在VDD = 5.0V、25 °C时的特性数据。

2、这是保证可识别为RESET引脚请求的最短脉冲。

3、这是保证可通过引脚同步电路的最短脉冲宽度。低于该宽度的脉冲有可能不被识别。在 Stop 模式中将避开同步器,所以可识别更短的脉冲。

4、时序按20%的VDD电平和 80%的 VDD电平显示。温度范围-40 °C 至 125 °C。

textrst

RESET 引 脚

图5-1 复位时序

KBIPx

IRQ/KBIPx

图5-2 KBIPx时序

Chipways confidential XL6600-2 Series Datasheet A.15

5.2

CHIPWAYS

弹性定时器模块时序

同步电路决定可识别的最短输入脉冲或决定定时器计数器可配置的外部时钟源的最快时钟。这些同步电路的工作时钟是总线时钟。

表5-2 弹性定时器模块时序

功能

定时器时钟频率

外部时钟频率

外部时钟周期

外部时钟高电平时间

外部时钟低电平时间

输入捕捉脉冲宽度

符号

fTimer

fTCLK

tTCLK

tclkh

tclkl

tICPW

最小值

fBus

0

4

1.5

1.5

1.5

最大值

fSys

fTimer/4

单位

Hz

Hz

tcyc

tcyc

tcyc

tcyc

TCLK

图5-3 定时器外部时钟

FTMCHn

FTMCHn

图5-4 定时器输入捕捉脉冲

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CHIPWAYS

6 热特性

6.1 热特性

本节介绍有关工作温度范围、功耗和封装热阻的信息。I/O引脚上的功耗通常比片上逻辑和电压调节器电路中的功耗少,且它由用户决定而并非由MCU设计控制。 要在功率计算中考虑PI/O,需要确定实际引脚电压和

VSS或VDD之间的电压差并乘 以每个I/O引脚的引脚电流。除异常高引脚电流(高负载)外,引脚电压和VSS或VDD之间的压差将会很小。

表6-1 热学属性

板类型

单层(1S)

四层(2s2p)

单层(1S)

四层(2s2p)

符号 说明

热阻,连结到外部环境(自然对流)

热阻,连结到外部环境(自然对流)

热阻,连结到外部环境(空气速率为200英尺/分钟)

热阻,连结到外部环境(空气速率为200英尺/分钟)

热阻,连结到板

热阻,连结到管壳

热特性参数,连结到外封装顶部中心自然对流)

64 LQFP

71

53

59

46

35

20

5

80 LQFP

57

44

47

38

28

15

3

单位

°C/W

°C/W

°C/W

°C/W

°C/W

°C/W

°C/W

注释

1,2

1,3

1,3

1,3

4

5

6

RθJA

RθJA

RθJMA

RθJMA

RθJB

RθJC

ΨJT

1、结温是裸片大小、片上功耗、封装热阻、安装环境(板)温度、环境温度、气流、板上其他组件的功耗和板热阻的函数。

2、基于JEDEC JESD51-2标准,在单层板(JESD51-3)水平方向。

3、基于JEDEC JESD51-6标准,在电路板(JESD51-7)水平方向。

4、裸片和印刷电路板上的热阻,基于 JEDEC JESD51-8 标准。板温度在封装附近的板上表面测量。

5、裸片和封装底部焊盘之间的热阻。忽略接触热阻。

6、基于 JEDEC JESD51-2 标准,热特性参数表示封装顶部和结温之间的温差。未提供希腊字母时的热特性。

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CHIPWAYS

7 外设工作要求与特性

7.1 SWD电气特性

符号

J1

J2

J3

J4

J9

J10

J11

J12

工作电压

SWD_CLK 工作频率

• 串行线调试

SWD_CLK周期

SWD_CLK时钟脉宽

• 串行线调试

SWD_CLK上升和下降时间

SWD_DIO SWD_CLK上升前的输入数据建立时间

SWD_DIO SWD_CLK上升后的输入数据保持时间

SWD_CLK高电平至SWD_DIO数据有效时间

SWD_CLK高电平至SWD_DIO高阻态时间

J2

J3 J3

SWD_CLK (输入)

表7-1 SWD全电压范围电气特性

说明 最小值

2.7

0

1/J1

20

10

3

5

最大值

5.5

24

3

35

单位

V

MHz

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

J4

J4

图7-1 串行线时钟输入时序

SWD_CLK

SWD_DIO

J11

J9

输入数据有效

J10

SWD_DIO

输出数据有效

J12

SWD_DIO

SWD_DIO

J11

输出数据有效

图7-2 串行线数据时序

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7.2

CHIPWAYS

系统振荡器(OSC)和ICS特性

表7-2 OSC和ICS规格(环境温度范围 = -40到125°C)

编号

1

2

3

晶振或谐振器频率

负载电容

反馈电阻 低频率、高增益模式

高频率、低功耗模式

高频率、高增益模式

4

5

串联电阻-低频率

串联电阻—高频

串联电阻 —

高频、高增益模式

6

晶振启动时间低频范围 =

32.768 kHz 晶振;高频范围 =

12/24 MHz 晶振

4,5

内部参考启动时间

内部基准时钟频

率,出厂已调整

DCO输出频率范围

出厂已调整的内 部振荡器精度

在T = 25 °C、

VDD

= 5 V的条件下调整时,IRC随温度变化产生的偏差

T = 125 °C,VDD

= 5 V

低功耗模式

3

高增益模式

低功耗模式

3

12 MHz

24 MHz

低频范围、高增益

高频范围、低功耗

高频范围、高增益

tIRST

fint_ft

tCSTL

tCSTH

RS

RS

特性

低频范围(RANGE = 0)

高频范围(RANGE = 1)

符号

flo

fhi

C1、C2

RF

最小值

31.25

4

典型值

1

32.768

参见注释

2

10

1

1

0

200

0

0

0

2500

3

2

20

37.5

50

最大值

39.0625

24

单位

kHz

MHz

MΩ

MΩ

MΩ

kΩ

kΩ

kΩ

kΩ

kΩ

ms

ms

ms

µs

kHz

7

8

9

10

FLL基准电压源 = fint_t、flo或fhi / RDIV

T = 125 °C,VDD

= 5 V

fdco

Δfint_ft

40

-0.8

400

0.8

MHz

%

11

温度范围是-40 °C 至 125°C

Δfint_t

-1 — 0.8 %

12

13

14

温度范围是-40 °C 至 125°C

采用出厂调整值 的 DCO 输出频率 精度

FLL采集时间

4,6

DCO 输出时钟长期抖动(平均间隔超过2ms)7

Δfdco_ft

-2.3 — 0.8 %

tAcquire

CJitter

0.02

2

0.2

ms

%fdco

1、典型列里的数据是在5.0 V、25 °C条件下的统计值或是推荐值

2、参见晶振或谐振器制造商的建议。

3、当 RANGE = HGO = 0时,负载电容(C1、C2)、反馈电阻(RF)和串联电阻(RS)将内部合并。

4、此参数为典型数据,并未在每个器件上进行测试。

5、为了达到规格要求,务必遵循正确的 PCB 布局流程。

6、在任何时候都适用于以下条件:当 FLL 参考源或参考分频器改变时;调整值改变时;或从“禁用 FLL”(FBELP、FBILP)变为“启用 FLL”(FEI、FEE、FBE、FBI)时。当晶振/谐振器用作参考时钟源时,此规格假定其已运行。

7、抖动是在最大 fBus 下指定间隔内与已编程频率的平均偏差。测量时使用带滤波的外部电源和稳定的外部时钟。噪声通过Chipways confidential XL6600-2 Series Datasheet A.15

CHIPWAYS

VDD与 VSS 注入FLL电路,并且晶体振荡器频率的变化增加了给定间隔内CJitter 的百分比。

EXTAL

XTAL

RF

C1

C2

图7-3 典型晶振或谐振器电路

7.3 NVM规格

本节详细介绍了Flash存储器的编程/擦除时间和编程/擦除次数。

表7-3 Flash特性

特性

工作电压

工作温度

FLASH编程/擦除次数

数据保留周期

读取电流

编程电流

擦除电流

待机电流

深待机电流

快速读取接入时间

擦除时间

文字编程

页码编程

符号

VDD

TJ

nFLPE

tD_ret

IARC

IAPC

IAEC

ISC

IDSC

tFRAT

tFT

tWP

tPP

最小值

1.35

-40

100k

20

4

55

799

典型值

最大值

1.65

125

12mA@33MHz

9

2

200

3μA @25°C

50μA @125°C

30

单位

V

°C

周期

mA

mA

mA

μA

μA

ns

ms

us

us

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7.4

CHIPWAYS

ADC特性

表7-4 5 V 12 位 ADC 工作条件

特性

基准电位 • 低

• 高

绝对值

VDD的差值(VDD-VDDA)

输入电压

输入电容

输入电阻

模拟源电阻

12位模式

• fADCK

> 4 MHz

• fADCK < 4 MHz

10位模式

• fADCK

> 4 MHz

• fADCK

< 4 MHz

8位模式

对于所有的fADCK都有效

ADC转换时钟频率

高速(LPE=0)

低功耗(LPE=1)

fADCK

条件 符号

VREFL

VREFH

VDDA

ΔVDDA

VADIN

CADIN

RADIN

RAS

最小值

VSSA

2.7

-100

VREFL

0.4

0.4

典型值

1

0

9.5

3

VDDA

5.5

+100

VREFH

10.5

5

2

5

5

10

10

20

8

MHz —

V

mV

V

pF

kΩ

kΩ

外部到MCU

最大值 单位

V

注释

供电电压

1、除非另有说明,否则典型值假定 VDDA = 5.0 V,温度= 25°C,fADCK=1.0 MHz。典型值仅供参考,并未在生产中进行测试。

简化版

输入引脚等效电路

ZAS

RAS

因输入保护产生焊盘泄漏电流

ZADIN

R

ADIN

ADC SAR

引擎

VADIN

VAS

CAS

R

ADIN

输入引脚

R

ADIN

输入引脚

输入引脚

R

ADIN

C

ADIN

图7-4 ADC输入阻抗等效图

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CHIPWAYS

表7-5 12 位 ADC 特性(VREFH = VDDA,VREFL = VSSA)

特性

供电电流

条件 符号

IDDA

最小值

最小值

1

290

最大值

单位

µA

LPE = 1

LSTE = 1

CCE = 1

供电电流

IDDA

— 322 — µA

LPE = 1

LSTE = 0

CCE = 1

供电电流

IDDA

— 290 — µA

LPE = 0

LSTE = 1

CCE = 1

供电电流

IDDA

— 322 990 µA

LPE = 0

LSTE = 0

CCE = 1

供电电流

ADC异步时钟源

转换时间(包括采样时间)

停止、复位、模块关闭

高速(LPE = 0)

低功耗(LPE = 1)

8位模式

短样(LSTE = 0)

长样(LSTE = 1)

10位模式

短样(LSTE = 0)

长样(LSTE = 1)

12位模式

短样(LSTE = 0)

长样(LSTE = 1)

短样(LSTE = 0)

长样(LSTE = 1)

12位模式

10位模式

8位模式

12位模式

10位模式

8位模式

12位模式

10位模式

8位模式

12位模式

10位模式

8位模式

12位模式

10位模式

8位模式

IDDA

fADACK

tADC

2

1.25

0.011

3.3

2

15

35

17

37

19

39

3.5

23.5

±5.0

±1.5

±0.8

±1.5

±0.4

±0.15

±1.5

±0.4

±0.15

±1.0

±0.2

±0.35

±2.5

±0.3

±0.25

1

5

3.3

—-

µA

MHz

ADCK周期

采样时间

未调整总误差 2

tADS

ETUE

ADCK周期

LSB3

差分非线性

DNL

LSB3

积分非线性

INL

LSB3

零量程误差

4

EZS

LSB3

满量程误差 5

EFS

LSB3

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CHIPWAYS

量化误差

输入泄漏误差

6

温度传感器斜率

≤12位模式

所有模式

-40 °C–25 °C7

25 °C–125 °C8

温度传感器电压

25 °C

VTEMP25

EQ

EIL

m —

— —

IIn x RAS

-0.607

-0.5461

0.66

— V

±0.5

LSB3

mV

mV/°C

1、除非另有说明,否则典型值假定VDDA

= 5.0 V,温度= 25 °C,fADCK=1.0 MHz。典型值仅供参考,并未在生产中进行测试。

2、包括量化

3、1 LSB = (VREFH - VREFL)/2N

4、VADIN

= VSSA

5、VADIN = VDDA

6、IIn = 漏电流(参考直流特性)

7、temperature(℃)= sampling(mV)*(-0.607) + 428.2

8、temperature(℃)= sampling(mV)*(-0.5461) + 384.667

7.5 模拟比较器(ACMP)电气规格

特性 符号

VDDA

IDDA

VAIN

VAIO

VH

VH

IDDAOFF

tD

最小值

2.7

VSS

- 0.3

10

典型值

10

15

20

60

0.4

最大值

5.5

20

VDDA

40

20

30

1

单位

V

µA

V

mV

mV

mV

nA

µs

表7-6 比较器电气规格

供电电压

供电电流(工作模式)

模拟输入电压

模拟输入偏移电压

模拟比较器迟滞(HYST=0)

模拟比较器迟滞(HYST=1)

供电电流(关闭模式)

传播延迟

7.6 SPI开关规格

串行外设接口(SPI)可为主从操作提供同步串行总线。SPI的很多传输性质可以通过 软件配置。下面各表将介绍经典SPI时序模式的时序特性。有关修正传输格式的信息,请参见本芯片“参考手册”中的SPI一章。这些格式主要用于和速度较慢的外围设备通信。如无特殊说明,表中所有时序采用的电压阈值均为20%的VDD和80%的VDD,所有SPI引脚挂有25pF 的负载。所有如下时序都在禁止压摆率控制和使能高驱动的假设下得到的。

表7-7 SPI主机模式时序

编号

1

2

3

4

5

符号 说明

操作频率

最小值 最大值 单位 注解

fop fBus/65484

2 x tBus

1/2

1/2

tBus – 30

fBus/2

65484 x tBus

32742 x tBus

Hz

ns

tSPSCK

tSPSCK

ns

fBus是总线时钟

tBus

= 1/fBus

tSPSCK

SPSCK周期

tLead

tLag

使能前置时间

使能滞后时间

tWSPSCK

时钟(SPSCK)高电平或低电平时间

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6

7

8

9

10

11

CHIPWAYS

tSU

tHI

tv

tHO

tRI

tFI

tRO

tFO

数据建立时间(输入)

数据保持时间(输入)

有效数据(在 SPSCK 边沿后)

数据保持时间(输出)

输入上升时间

输入下降时间

输出上升时间

输出下降时间

8

8

20

25

30

30

ns

ns

ns

ns

ns

ns

1、如果配置为输出。

图7-5 SPI主机模式时序(SCPOL =0)

1、如果配置为输出。

图7-6 SPI主机模式时序(SCPOL =1)

表7-8 SPI从机模式时序

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编号

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

CHIPWAYS

符号

fop

tSPSCK

tLead

tLag

tWSPSCK

tSU

tHI

ta

tdis

tv

tHO

tRI

tFI

tRO

tFO

操作频率

SPSCK周期

使能前置时间

使能滞后时间

时钟(SPSCK)高电平或低电平时间

数据建立时间(输入)

数据保持时间(输入)

从机访问时间

从机 MISO 禁用时间

有效数据(在 SPSCK 边沿后)

数据保持时间(输出)

输入上升时间

输入下降时间

输出上升时间

输出下降时间

— 30 ns —

说明 最小值

0

4 x tBus

1

1

tBus - 30

15

25

0

最大值

fBus/4

tBus

tBus

25

30

单位

Hz

ns

tBus

tBus

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

注解

fBus 是控制时序 中定义的总线时钟。

tBus = 1/fBus

从高阻抗状态到数据有效的时间

到高阻抗状态的保持时间

注释:未定义

图7-7 SPI从机模式时序(SCPOL =0)

s

Chipways confidential XL6600-2 Series Datasheet A.15

CHIPWAYS

注释:未定义

图7-8 SPI从机模式时序(SCPOL =1)

7.7 CAN特性

参数

CAN 唤醒显性脉冲(滤波)

CAN 唤醒显性脉冲(不滤波)

符号

tWUP

tWUP

最小值

-

5

典型值

-

-

最大值

1.5

-

单位

µs

µs

表7-9 CAN唤醒脉冲特性

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CHIPWAYS

8 封装与Pin脚

8.1 芯片尺寸

图8-1 80pin封装尺寸图

图8-2 64pin封装尺寸图

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CHIPWAYS

图8-3 48pin封装尺寸图

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8.2

CHIPWAYS

引脚分配

XL6600-2系列80/64/48pin引脚功能和引脚封装图详情见附件:

XL6600-2 IO_Signal_Description_Input_

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