2024年5月10日发(作者：金立s10处理器)

双向触发二极管参数

DB3,DC34,DB4,DB6双向触发二极管用于驱动双向可控硅的调光灯，普遍电机转速控制，热控制电路。

封装：DO-35

极限参数：

符号

Parameters 参数

Power Dissipation on

Printed

Pc

Circuit(L=10mm)印

刷线路板（长=10毫米）

=10mm) 功耗

Repetitive Peak

ITRM

in-state Current 反向

重复峰值电流

TSTG/TJ

电气特性数据：

Value 数值

DB3

DC34

DB4

DB6

Units单位

TA=50

150

mW

tp=10us

F=100Hz

2.0

2.0

2.0

1.6

A

Storage and Operating Junction

Temperature存储和工作结温

-40 to +125/-40 to 110

℃

Symbols

符号

Parameters 参数

Test Conditions 测试

条件

最

小

Value数值

Units

DB3

DC34

DB4

DB6

单位

28

30

34

38

35

56

v

VBO

Breakover Voltage(Note c=22nF See

2) 转折点电压

diagram1 见表

典

型

32

最

大

36

40

60

45

70

± 4

|+VBO|-

|-VBO|

Breakover Voltage

Symmetry 转折点电压对

称性

Dynamic Breakover I=(IBO to

diagram1

See diagram2

c=22nF

最

小

最

大

Voltage(Note 1) 动态转折

IF=10mA) See

点电压

Output Voltage(Note 1)

c=22nF

最

大

± 3

|±△V|

最

5

小

10

V

Vo

IBO

输出电压

Breakover Current(Note

1) 转折点电流

5

100

V

μA

Rise Time(Note 1) 上升时

tr

IB

瓦

间

Leakage Current(Note 1)

泄漏电流

See Diagram 3

VB=0.5 VBO max

典

型

最

大

1.5

10

μS

μA

图1 电压-电流特性

图2 测试电路图

图3：测试电路特性 Ip=0.5A

图4 耗散功率与环境温度曲线（最高值）

图5 相对变化的VBO与juntion 温度（典型值）

图6 峰值脉冲电流与脉冲持续时间图形（最大值）