2024年4月17日发(作者：zte中兴mf79u)
内存重要参数详解(转载)
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时序
内存的时序参数一般简写为2/2/2/6- 11/1T的格式，分别代表
CAS/tRCD/tRP/tRAS/CMD的值。 2/2/2/6-11/1T中最后两个时序参数，也就是tRAS
和CMD(Command缩写)，是其中较复杂的时序参数。目前市场上对这两个参数的认识有
一些错误，因为部分内存厂商直接用它们来代表内存性能。
CMD Rate
Command Rate译为“首命令延迟”，这个参数的含义是片选后多少时间可以发出具
体的寻址的行激活命令，单位是时钟周期。片选是指对行物理Bank的选择(通过 DIMM
上CS片选信号进行)。如果系统指使用一条单面内存，那就不存在片选的问题了，因为此
时只有一个物理Bank。
用更通俗的说 法，CMD Rate是一种芯片组意义上的延迟，它并不全由内存决定，是
由芯片组把虚拟地址解释为物理地址。不难估计，高密度大容量的系统内存的物理地址范
围更大，其 CMD延迟肯定比只有单条内存的系统大，即使是双面单条。Intel对CMD这
个问题就非常敏感，因此部分芯片组的内存通道被限制到四个Bank。这样就可以比较放心
地把CMD Rate限定在1T，而不理用户最多能安装多少容量的内存。
宣扬CMD Rate可以设为1T实际上多少也算是一种误导性广告，因为所有的无缓冲
(unbuffered)内存都应具有1T的CMD Rate，最多支持四个Bank每条内存通道，当然也
不排除芯片组的局限性。
tRAS
tRAS在内存规范的解释是Active to Precharge Delay，行有效至行预充电时间。是
指从收到一个请求后到初始化RAS(行地址选通脉冲)真正开始接受数据的间隔时间。这个
参数看上去似乎很重要，其实不然。内存访问是一个动态的过程，有时内存非常繁忙，但
也有相对空闲的时候，虽然内存访问是连续不断的。tRAS命令是访问新数据的过程(例如
打开一个新的程序)，但发生的不多。
接下来几个内存时序参数分别为CAS延迟，tRCD，以及tRP，这些参数又是如何影
响系统性能的呢？
CAS
CAS意为列地址选通脉冲(Column Address Strobe 或者Column Address Select)，
CAS控制着从收到命令到执行命令的间隔时间，通常为2，2.5，3这个几个时钟周期。在
整个内存矩阵中，因为CAS按列地址管理物理地址，因此在稳定的基础上，这个非常重要
的参数值越低越好。
过程是这样的，在内存阵列中分为行和列，当命令请求到达内存后，首先被触发的是
tRAS (Active to Precharge Delay)，数据被请求后需预先充电，一旦tRAS被激活后，RAS
才开始在一半的物理地址中寻址，行被选定后，tRCD初始化，最后才通过CAS找到精确
的地址。整个过程也就是先行寻址再列寻址。从CAS开始到CAS结束就是现在讲解的CAS
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