2024年4月11日发(作者：电脑分辨率调错了黑屏)

证券研究报告 | 行业深度

2021年07月30日

电子

半导体材料系列：CMP – 晶圆平坦化必经之路，国产替代放量中

CMP全称为Chemical Mechanical Polishing，化学机械抛光，是半

导体晶片表面加工的关键技术之一。单晶硅片制造过程和前半制程中需

要多次用到化学机械抛光技术。与此前普遍使用的机械抛光相比，化学

机械抛光能使硅片表面变得更加平坦，并且还具有加工成本低及加工方

法简单的优势，因而成为目前最为普遍的半导体材料表面平整技术。

中游代工扩产叠加下游需求激增推动半导体材料市场持续增长。此轮半

导体景气度因为全球电子行业硅含量持续提高，并且受到外部疫情、经

济景气周期、及行业的产能/库存等多维度影响进入了当前的供需严重失

衡阶段，而此轮高景气度有望得到较长的维持，因此我们也看到各大晶

圆厂上修Capex用以扩产，应对需求的爆发。随着Capex的增长，我

们可期半导体材料将会随着产能的投放，迎来需求的高速增长，这也将

带动CMP抛光耗材的需求的增长。

芯片制程不断升级，带动CMP环节供需及价值量的不断增长。随着各类

芯片的技术的进步，抛光步骤也随之增长，从而实现了抛光垫及抛光液

用量市场的持续增长。同时随着芯片制程的提高带动的抛光材质技术要

求的提升，以及整体半导体芯片市场的复苏，我们可以预期到未来CMP

市场的量*价的双重增高。

CMP耗材市场格局呈现高度集中，格局有望在国内市场复制，助力国产

材料厂商实现高市占率。CMP环节呈现类龙头垄断（抛光垫）和较为集

中的寡头垄断（抛光液），其核心原因在于替代的潜在损失的机会成本

较大、龙头厂商数十年深耕与客户粘性极高、海外龙头产品更为齐全，

可为客户提供全套解决方案。而随着中国CMP材料厂商不断突破及丰富

产品，并且内资晶圆厂扩产迅速，有望给到内资CMP厂商巨大的机会窗

口实现替代，并且延续海外的竞争格局，助力自身实现高市占率。

国内龙头：鼎龙股份（抛光垫）、安集科技（抛光液）。当前国内鼎龙

股份以及安集科技作为国内少数分别实现抛光垫、抛光液稳定出货实现

收入及利润的厂商，这两家厂商我们认为有望受益于半导体行业需求的

提高，实现潜在市场空间的不断增长；此外作为抛光垫及抛光液在国内

的领先供应商，有望具备先发优势，在中国内资不断扩大的市场需求

内，成为新产线的baseline，遥遥领先占据高市占率，保持当前的产业

优势。

推荐关注：鼎龙股份、安集科技。

风险提示：国产替代进展不及预期、全球贸易纷争影响、下游需求不确

定性。

增持（维持）

行业走势

32%

16%

0%

-16%

2020-07

电子沪深300

2020-112021-03

作者

分析师 郑震湘

执业证书编号：S2

邮箱：***********************

分析师 佘凌星

执业证书编号：S1

邮箱：********************

相关研究

1、《电子：海外二季报印证行业景气高涨，国产替代

机遇空前》2021-07-25

2、《电子：半导体设备系列：光刻机，半导体制造皇

冠上的明珠》2021-07-19

3、《电子：半导体景气度高涨，国产化黄金机遇》

2021-07-18

请仔细阅读本报告末页声明

2021年07月30日

内容目录

一、CMP：半导体抛光材料，芯片平坦度必经之路 ................................................................................................... 3

二、晶圆厂持续扩产，带动材料永续性需求提升 ...................................................................................................... 7

三、集成电路制程逐步升级，CMP要求水涨船高 ..................................................................................................... 11

四、CMP呈现寡头及龙头垄断，格局有望在大陆复制 .............................................................................................. 13

五、国内龙头：鼎龙股份、安集科技CMP耗材快速放量 .......................................................................................... 15

六、风险提示 ....................................................................................................................................................... 16

图表目录

图表1：集成电路制造过程流程简图

........................................................................................................................ 3

图表2：CMP环节对于晶圆表面平坦化示意图

.......................................................................................................... 3

图表3：硅片抛光过程示意图

.................................................................................................................................. 4

图表4：化学机械抛光示意图

.................................................................................................................................. 4

图表5：STI CMP示意图

......................................................................................................................................... 5

图表6：Oxide CMP示意图

..................................................................................................................................... 5

图表7：钨CMP流程示意图

.................................................................................................................................... 6

图表8：Poly CMP流程示意图（Poly为P2）

............................................................................................................ 6

图表9：全球半导体材料市场销售额

........................................................................................................................ 7

图表10：全球各区域半导体材料需求占比

............................................................................................................... 7

图表11：2021年SEMI预期半导体材料市场按地域分布

........................................................................................... 7

图表12：封装及晶圆制造材料市场规模及增速（单位：亿美元）

.............................................................................. 8

图表13：半导体原材料分布情况

............................................................................................................................. 8

图表14：CMP材料细分市场份额

............................................................................................................................ 8

图表15：全球半导体制造产能统计

......................................................................................................................... 9

图表16：全球12寸晶圆产能情况

........................................................................................................................... 9

图表17：全球各地区200mm晶圆厂数量（座）

...................................................................................................... 9

图表18：全球各地区200mm晶圆厂产能（千片/月）

.............................................................................................. 9

图表19：全球200mm晶圆厂综合产能增长情况

..................................................................................................... 10

图表20：11Q1-21Q1台积电逐季R&D支出（百万美元）

........................................................................................ 10

图表21：台积电2011-2021Q1年固定及无形资产支出（百万美元）

........................................................................ 10

图表22：2D NAND FLASH和3D NAND FLASH结构对比

......................................................................................... 11

图表23：2015年至2020年Q2 3D及2D NAND FLASH市场潜在占比

...................................................................... 11

图表24：台积电从20Q1至21Q1各制程节点占收入比重

........................................................................................ 12

图表25：2D NAND到3D NAND的技术进步带来抛光步骤增加

................................................................................ 12

图表26：逻辑芯片晶圆抛光次数随技术节点进步而增加

.......................................................................................... 12

图表27：抛光垫主要生产企业

............................................................................................................................... 13

图表28：抛光液主要生产企业

............................................................................................................................... 13

图表29：国产CMP厂商应对国产替代环境变化对比

................................................................................................ 14

图表30：鼎龙股份CMP抛光垫近年营业收入（亿元）

............................................................................................ 15

图表31：鼎龙股份CMP抛光垫毛利率及净利率变化情况

......................................................................................... 15

图表32：安集科技抛光液近年营业收入（亿元）

.................................................................................................... 16

图表33：安集科技近年抛光液毛利率情况

.............................................................................................................. 16

P.2 请仔细阅读本报告末页声明

2021年07月30日

一、CMP：半导体抛光材料，芯片平坦度必经之路

CMP全称为Chemical Mechanical Polishing，化学机械抛光，是半导体晶片表面加工的

关键技术之一。

图表1：集成电路制造过程流程简图

资料来源：CNKI，国盛证券研究所

其中单晶硅片制造过程和前半制程中需要多次用到化学机械抛光技术。与此前普遍使用

的机械抛光相比，化学机械抛光能使硅片表面变得更加平坦，并且还具有加工成本低

及加工方法简单的优势，因而成为目前最为普遍的半导体材料表面平整技术。

图表2：CMP环节对于晶圆表面平坦化示意图

资料来源：SMIC，化学机械抛光制程简介，国盛证券研究所

P.3 请仔细阅读本报告末页声明

2021年07月30日

化学机械抛光采用将机械摩擦和化学腐蚀相结合的工艺：

化学腐蚀 – 抛光液：首先是介于工件表面和抛光垫之间的抛光液中的氧化剂、催化剂

等于工件表面材料进行化学反应，在工件表面产生一层化学反应薄膜；

机械摩擦 – 抛光垫：然后由抛光液中的磨粒和由高分子材料制成的抛光垫通过机械作

用将这一层化学反应薄膜去除，使工件表面重新裸露出来，然后再进行化学反应。

整个过程是化学作用与机械作用的交替进行，最终完成对工件表面的抛光，速率慢者

控制抛光的速率。

图表3：硅片抛光过程示意图

资料来源：CNKI，国盛证券研究所

CMP包括三道抛光工序，主要运用到的材料包括抛光垫、抛光液、蜡、陶瓷片等。不同

工序根据目的的不同，分别需要不同的抛光压力、抛光液组分、pH值、抛光垫材质、

结构及硬度等。CMP抛光液和CMP抛光垫是CMP工艺的核心要素，二者的性质影响

着表面抛光质量。

图表4：化学机械抛光示意图

资料来源：半导体设备资讯站，国盛证券研究所

P.4 请仔细阅读本报告末页声明

2021年07月30日

而在CMP环节之中，也存在着各式不同的类别，例如钨/铜及其阻挡层、铝、STI、ILD

等。

STI（Shallow Trench Isolation）即

浅沟槽隔离层，他的作用主要是用氧化层来隔开各个门

电路（Gate），使各门电路之间互不导通。STI CMP这就是将晶圆表面的氧化层磨平，最终

正好使SIN暴露出来。

图表5：STI CMP示意图

资料来源：SMIC，化学机械抛光制程简介，国盛证券研究所

Oxide CMP包括了ILD CMP及IMD CMP，主要是将氧化硅（Oxide）磨平至一定厚度，

实现平坦化。

图表6：Oxide CMP示意图

资料来源：SMIC，化学机械抛光制程简介，国盛证券研究所

在钨、铜、Poly等各类CMP环节之中，其实本质上都是将电门之间的缝隙填充完后，

对于不同部分的研磨，使晶圆表面实现平坦化或者使需要暴露出来的材质正好暴露在外。

P.5 请仔细阅读本报告末页声明

2021年07月30日

图表7：钨CMP流程示意图

资料来源：SMIC，化学机械抛光制程简介，国盛证券研究所

图表8：Poly CMP流程示意图（Poly为P2）

资料来源：SMIC，化学机械抛光制程简介，国盛证券研究所

P.6 请仔细阅读本报告末页声明

2021年07月30日

二、晶圆厂持续扩产，带动材料永续性需求提升

中游代工扩产叠加下游需求激增推动半导体材料市场持续增长。从半导体材料来看，

至2020年全球市场规模在539.0亿美元，较2019年同比增长2.2%。从长期维度来看

半导体材料的市场一直随着全球半导体产业销售而同步波动。而由于半导体芯片存在较

大的价格波动，但是作为上游原材料的价格相对较为稳定，因此半导体材料可以被誉为

半导体行业中的剔除价格方面最好的参考指标之一。

此外看到当前半导体市场由于5G时代到来，进而推动下游电子设备硅含量的大增，带

来的半导体需求的快速增长，直接推动了各个晶圆厂商的扩产规划。而芯片的制造更是

离不开最上游的材料环节，因此我们有望看到全球以及中国半导体市场规模的飞速增长。

图表9：全球半导体材料市场销售额

半导体材料市场销售额（亿美元）

600

500

400

300

200

100

0

YoY

30%

25%

20%

15%

10%

5%

0%

-5%

-10%

-15%

-20%

资料来源：SEMI，国盛证券研究所

在全球半导体材料的需求格局之中，中国大陆从2011年的10%的需求占比，至2019

年已经达到占据全球需求总量的16.7%，仅次于中国台湾（21.7%）及韩国（16.9%），

位列全球第二。随着整个半导体产业的持续增长，以及中国大陆不断新建的代工产能，

我们有望看到中国大陆半导体材料市场规模增速将会持续超越全球，荣登第一。

图表10：全球各区域半导体材料需求占比

图表11：2021年SEMI预期半导体材料市场按地域分布

资料来源：SEMI，国盛证券研究所

资料来源：SEMI，国盛证券研究所

P.7 请仔细阅读本报告末页声明

2021年07月30日

在2019年期间，整个半导体材料521亿美元的市场规模之中，半导体晶圆制造材料占

据了约63%，达到了328亿元。晶圆制造材料的持续增长也是源自于当前制造工艺不

断升级带来的对于材料的更大的消耗所致。

图表12：封装及晶圆制造材料市场规模及增速（单位：亿美元）

晶圆制造材料

350

300

250

200

150

封装材料

100

50

0

2019

资料来源：美国半导体产业协会，国盛证券研究所

半导体晶圆制造过程繁琐且复杂，对于的材料大类的设计也超过了9种。其中CMP环

节占了整体原材料占比的6.9%，而在其中抛光液及抛光垫分别占据了49%及33%的比

重，通过对于2020年半导体材料市场的统计数据来看，可以得出在2020年全球CMP

抛光液及CMP抛光垫市场规模约在18.2亿美元及12.3亿美元。

图表13：半导体原材料分布情况

3.1%

0.0%

0.0%

晶圆制造材料成

本占比

硅片

图表14：CMP材料细分市场份额

15.9%

6.2%

45.0%

8.3%

光掩模

光刻胶

光刻胶辅助材料

工艺化学品

电子特气

15.1%

6.4%

资料来源：中国产业信息网，国盛证券研究所

资料来源：SEMI，国盛证券研究所

并且对应中国大陆半导体材料在全球占比约为16.7%的基础上，可以测算出中国大陆的

CMP抛光液及抛光垫市场空间约为20.4亿元人民币及13.8亿元人民币（假设汇率为

6.7）。

但是中国大陆作为全球范围内晶圆扩 产规划最大之一的国家，我们认为随着中国晶圆

产能逐步的投建，将会为中国大陆对于CMP耗材的需求有着巨大的提升。

P.8 请仔细阅读本报告末页声明

2021年07月30日

根据IC Insight的统计及预估，在不包含三星、英特尔等IDM类型晶圆代工市场而言，

2020年纯晶圆代工市场或实现了约19%的增长，达到了677亿美元的市场规模，是过

去多年以来最高的增速幅度。而随着5G带来的硅含量渗透的景气及需求的爆发，未来

市场预计将持续增长，至2024年IDM+Pure-Play Foundry将会有合计约1075亿美元的

市场规模。

此外不仅市场规模在不断的提升，看到全球12寸硅片的产能的增长情况，根据SEMI在

2020年10月的《300mm Fab Outlook to 2024》报告所述，在2019年全球12寸晶圆

的产能超过540万片/月，至2024年之时，全球12寸晶圆产能将会超过720万片/月。

图表15：全球半导体制造产能统计

图表16：全球12寸晶圆产能情况

资料来源：IC insights，满天芯，国盛证券研究所

资料来源：SEMI，半导体行业观察，国盛证券研究所

全球半导体制造商在2020年至2024年将持续提高8寸晶圆厂产能，预计增加

95万片/月，复合增速将达到17%，至2024年将会达到660万片/月的最高历史记录。

而这其中，中国占据大多数产能，在2021年已经达到了18%，在未来的产能不断扩张

的情况下，有望占比持续提高。

图表17：全球各地区200mm晶圆厂数量（座）

图表18：全球各地区200mm晶圆厂产能（千片/月）

2013

2017

2021E

2014

2018

2022E

2015

2019

2023E

2016

2020

2024E

1600

1400

1200

1000

800

600

400

200

资料来源：SEMI《200mm Fab Oulook to 2024》，国盛证券研究所

0

美国欧洲及中东韩国中国台湾

资料来源：SEMI《200mm Fab Oulook to 2024》，国盛证券研究所

P.9 请仔细阅读本报告末页声明

2021年07月30日

图表19：全球200mm晶圆厂综合产能增长情况

资料来源：SEMI - 《200mm Fab Oulook to 2024，2Q21 Update》，国盛证券研究所

此外，随着全球代工行业景气度持续超预期，且持续求有望较强，2021年各大晶圆厂

的Capex支出规划更是纷纷明显提升。全球代工市占率超50%的台积电资本开支虽多，

但绝大多数钱去投7nm以下的先进制程。客观上导致（1）5G/HPC需求下，先进制程

还是不够用；（2）传统需求增长下，成熟产能也开始捉襟见肘。虽然晶圆厂提升资本开

支，但是行业紧张局面仍需1-2年后才有望缓解。

产能紧张传导至晶圆代工扩产，2021年资本开支密集上升。从资本支出角度而言，台

积电从2020年170亿美金增长到2021年的300亿美金；联电从2020年10亿美金增

长到15亿美金（用于的12寸晶圆的资本支出占85%）；华虹从2020年11亿美金增长

到2021年13.5亿美金（大部分用于华虹无锡12寸）；中芯国际2021年资本维持高位，

达到43亿美金（大部分用于扩成熟制程，尤其是8寸数量扩4.5万片/月）。

图表20：11Q1-21Q1台积电逐季R&D支出（百万美元）

图表21：台积电2011-2021Q1年固定及无形资产支出（百万美元）

固定及无形资产收购

20000

18000

16000

14000

12000

10000

8000

6000

4000

2000

0

2017201921Q1

yoy

50%

40%

30%

20%

10%

0%

-10%

-20%

研究与开发

研究与开发

1200

1000

800

600

400

200

0

Q3Q2Q1Q4Q3Q2Q1Q4Q3Q2Q1Q4Q3

2020

资料来源：彭博，台积电，国盛证券研究所

资料来源：彭博，台积电，国盛证券研究所

P.10 请仔细阅读本报告末页声明

2021年07月30日

三、集成电路制程逐步升级，CMP要求水涨船高

而随各类芯片的技术的进步，抛光步骤也随之增长，从而实现了抛光垫及抛光液用量市

场的持续增长。同时随着芯片制程的提高带动的抛光材质技术要求的提升，以及整体半

导体芯片市场的复苏，我们可以预期到未来CMP市场的量*价的双重增高。

我们从Logic和Memory两个角度进行分析：

从NAND FLASH的角度看，全球现在3D NAND FLASH的占比在不断上升，而其中的

核心原因是3D NADN FLASH可以在单位面积上实现更大的存储空间，举例来说，

2D NAND FLASH就如同单位平地上盖得平房，而3D NAND FLASH就是在同样单位平地

上盖起的高楼大厦，虽然对于存储厂商而言技术难度跃迁十分巨大，但是可以提供更大

的存储空间，满足了这个时代对于芯片小型化高容量的要求。

图表22：2D NAND FLASH和3D NAND FLASH结构对比

资料来源：知乎，国盛证券研究所

从HIS统计的3D和2D NAND FLASH的占比也在不断变化，从16年来看，3D NAND

FLASH的占比约为15%，至20Q2时整体占比已经超过了95%，可以看到3D NAND

FLASH已然成为当前及未来的主流发展方向，且未来的存储厂的扩产也都会集中于此。

图表23：2015年至2020年Q2 3D及2D NAND FLASH市场潜在占比

3D NAND

100%

90%

80%

70%

60%

50%

40%

30%

20%

10%

2D NAND

0%

15Q115Q316Q116Q317Q117Q318Q118Q319Q119Q320Q1

资料来源：IHS，国盛证券研究所

P.11 请仔细阅读本报告末页声明

2021年07月30日

从Logic芯片的角度来看，由于制程越高，单位成本相对性降低，看到台积电从20Q1

开始至21Q1的各制程占收入之比，可以看到在28nm及其以上的制程收入占比从45%

降低至37%，其中5nm制程从0%提升至14%（20Q4达到20%）。

由此可见整体芯片制程不断的向更先进制程的方向发展，而其中将会带动各类集成电路

晶圆制造材料的使用量不断地提升。

图表24：台积电从20Q1至21Q1各制程节点占收入比重

0.25μm及以上

0.15/0.18μm

0.11/0.13μm

90nm

65nm

40/45nm

28nm

20nm

16nm

10nm

7nm

5nm

合计

20Q1

2%

8%

2%

3%

6%

10%

14%

1%

19%

1%

35%

0%

20Q2

2%

8%

3%

3%

6%

9%

14%

1%

18%

0%

36%

0%

20Q3

2%

7%

2%

2%

5%

8%

12%

1%

18%

0%

35%

8%

20Q4

1%

7%

3%

2%

5%

8%

11%

1%

13%

0%

29%

20%

21Q1

2%

6%

3%

3%

5%

7%

11%

0%

14%

0%

35%

14%

20Q1

45%

56%

20Q2

45%

55%

20Q3

38%

62%

20Q4

37%

63%

21Q1

37%

63%

28nm及以上

28nm以下

资料来源：台积电公告，国盛证券研究所

从2D至3D NAND的升级之中，CMP抛光步骤根据Cabot Microelectroncs的测算，抛

光步骤也从原来的6.4提升至13.6，超过100的步骤增长；另一方面对于逻辑芯片制程

的提高，单片晶圆的抛光次数也从28nm所需要的约400次提升至5nm的超过1200次。

而对于CMP抛光垫和抛光液均属于日常耗材，故随着CMP步骤以及抛光次数的增长，

对于CMP抛光垫及抛光液的需求也将逐步增加。

图表25：2D NAND到3D NAND的技术进步带来抛光步骤增加

图表26：逻辑芯片晶圆抛光次数随技术节点进步而增加

资料来源：Cabot Microelectronics，国盛证券研究所

资料来源：Cabot Microelectronics，国盛证券研究所

P.12 请仔细阅读本报告末页声明

2021年07月30日

四、CMP呈现寡头及龙头垄断，格局有望在大陆复制

抛光垫：

目前市场上抛光垫目前主要被陶氏化学公司所垄断，市场份额达到90%左右，其他供

应商还包括日本东丽、3M、台湾三方化学、卡博特等公司，合计份额在10%左右。

抛光液：

目前主要的供应商包括日本Fujimi、日本HinomotoKenmazai，美国卡博特、杜邦、

Rodel、Eka、韩国ACE等公司，占据全球90%以上的市场份额，国内这一市场主要依

赖进口，国内仅有部分企业可以生产，但也体现了国内逐步的技术突破，以及进口替代

市场的巨大。

⚫ CMP抛光垫方面，美国厂商Dow以及Cabot共占据了约88%的市场份额。

⚫ CMP抛光液环节，美国厂商Cabot以及Dow共占据了约42%的市场份额；

图表27：抛光垫主要生产企业

图表28：抛光液主要生产企业

资料来源：SEMI，国盛证券研究所

资料来源：SEMI，国盛证券研究所

之所以CMP抛光垫及抛光液在全球竞争格局中分别呈现类龙头垄断及高度集中的寡头

垄断的格局的核心原因，我们认为主要是：

1. CMP在晶圆制造环节成本占比较小，Slurry和Pad合计占晶圆制造成本的5.7%，如

若进行替代，潜在损失的机会成本较大，晶圆厂对于替换的动力较小；

2. 陶氏（抛光垫）、卡博特（抛光液）、及其他厂商在半导体耗材行业已经深耕数十年，

全球晶圆厂与其长期合作下，对于产品及制程变更的粘性极高；

3. 龙头厂商产品布局更为齐全，可为晶圆厂提供全套耗材解决方案，后进入者产品需

求无法做到龙头一样的覆盖面，致使替换难度较高。

然而随着中国晶圆厂的大规模8寸及12寸晶圆产能扩产，中国内资CMP抛光垫及抛

光液厂商有望受益于此进入该行业实现国产替代。

P.13 请仔细阅读本报告末页声明

2021年07月30日

如上文所属，中国将会在未来成为全球最大的新增晶圆产能国，而当前及未来可以实现

国产替代的原因如下：

图表29：国产CMP厂商应对国产替代环境变化对比

技术

过去

产品均处于突破阶段，或产品单一，

覆盖面不够全面

晶圆产能主要为海外厂商，

国内厂商产能有限

vs

现在

CMP两大耗材均可实现国产晶圆厂

大部分的需求及要求

主要集中在国产晶圆厂商，

例如中芯国际、长江存储、合肥长鑫、

华虹半导体、华润微等

目标客户

客户情况

国外：晶圆厂制程先进，较难替代；

国内：晶圆厂处于追赶海外，努力做到良

率稼动率双高，无暇顾及国产材料

国产替代并不急迫

仅有成熟的，生产之中的产线，

新增产线较少

vs

国外：制程依旧先进

国内：良率及稼动率均已追赶上

政策影响

替代产线

全球政治环境变动，国产替代刻不容缓

新增产线源源不断，

给到了更大的耗材上线的机会

资料来源：国盛电子归纳整理，国盛证券研究所

根据我们对于国产替代环境的过去与现在的对比，可以看到中国内资厂商将迎来一个

国产替代的机会窗口。除此之外，在未来随着产品在新晶圆产线上的稳定使用，有望

将加速在老产线上的替代，实现对于国产晶圆产线的全面替代。

而在这个过程当中，我们关注到当前两大耗材：CMP抛光垫，及CMP抛光液，中国

厂商仅有鼎龙股份，及安集科技实现了较好的产品布局，并且在客户端均实现放量。

基于此情况，我们认为随着国产替代的需求不断提高，CMP环节又没有其他参与者可

以与之媲美，在未来中国CMP两大耗材有望同样实现国际格局的复制，鼎龙股份及安

集科技有望实现对于较高的有效营收（市场空间虽不大，但是未来增量巨大，此外鼎

龙股份及安集科技有望实现国内市场的高市占率，得到较大的有效营收）。

P.14 请仔细阅读本报告末页声明

2021年07月30日

五、国内龙头：鼎龙股份、安集科技CMP耗材快速放量

鼎龙股份：

鼎龙股份作为当前国内为数不多的CMP抛光垫厂商，且是国内唯一拥有自我产权并实

现量产放量的CMP抛光垫厂商，当前已然实现了在多个客户的逐步放量，并且受益于

不断扩大的市场份额，产品质量的良好口碑，公司强大的技术实力和精细化的服务支持，

公司行业地位显著提升。

当前公司CMP抛光垫研发研发聚焦于28nm以下先进制程新产品开发，并和客户保持

非常紧密的技术合作模式，目前各项测试进展顺利。公司在新工艺开发，关键的原材料

开发方面也在持续发力，保障公司在技术和产品方面持续的竞争力。生产在保障产品质

量稳定性的基础上，在生产效率提升，体系管理方面都有较大突破。此外，公司“集成

电路用12英寸晶圆CMP氧化物用抛光垫”项目荣获第四届“IC创新奖”技术创新奖，

这也是业界对公司技术创新能力的肯定。

此外公司CMP业务扭亏转盈，在21Q1实现了高盈利能力，更将助力国产替代产业化进

一步发展。21Q1公司CMP（鼎汇微）实现收入4007万元，净利润1029万元，净利率

25.68%。随着公司逐步加强CMP原材料的自产化，打通上下游整合后，公司CMP Pad

业务实现高利润率；此外公司不断突破客户，开发新工艺，并且持续扩产的节奏帮助公

司在技术、产品、产能上紧跟行业发展需求及势头，加速CMP Pad国产替代产业化的

速度。

图表30：鼎龙股份CMP抛光垫近年营业收入（亿元）

收入

0.9

yoy

0.79

600%

500%

400%

0.4

300%

200%

0.12

0.03

21Q1

100%

0%

30%

25%

图表31：鼎龙股份CMP抛光垫毛利率及净利率变化情况

毛利率净利率

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0

24.55%

毛利率

16.06%

毛利率

25.68%

净利率

20%

15%

10%

5%

0%

21Q1

资料来源：Wind，国盛证券研究所

资料来源：Wind，国盛证券研究所

P.15 请仔细阅读本报告末页声明

2021年07月30日

安集科技：

研磨液多产品得以突破，紧跟行业多面拓展。当前公司拳头产品铜（含阻挡层）已经在多

方客户实现突破，14nm稳定量产的同时，10-7nm逐步突破，并且突破逻辑、存储两大

领域。此外公司钨研磨液已在长存得到应用，也在积极配合客户实现二氧化铈的验证。

在光刻胶去除剂方面，公光刻胶去除剂已量产并且持续扩大应用；28nm技术节点后段硬

掩模工艺光刻胶去除剂的验证工作正在按计划进行，以加快实现国产化供应；14nm 技术

节点后段蚀刻残留物去除剂的研究仍在按计划进行。

国内需求巨大，客户+品类同步拓展，渗透率提升带动营收利润天花板激增。随着内资晶圆

厂扩产加速，制程提高，对于抛光液的用量得到了明显的提升。安集科技从铜向钨，钨向

氧化物方向的品类推展将近一步实现国产替代，完成对自身潜力的进一步提高。

图表32：安集科技抛光液近年营业收入（亿元）

收入

4

3.5

3

2.5

2

1.5

1

0.5

0

20192020

yoy

70%

60%

50%

40%

30%

20%

10%

0%

-10%

60%

50%

图表33：安集科技近年抛光液毛利率情况

毛利率

毛利率

40%

30%

20%

10%

0%

20192020

资料来源：Wind，国盛证券研究所

资料来源：Wind，国盛证券研究所

六、风险提示

国产替代进展不及预期：半导体设备及材料新技术难度较高，验证周期较长，具有一定

的不确定性；

全球贸易纷争影响：全球贸易纷争存在不确定性，尤其是科技领域竞争激烈，导致科技

产业链具有不稳定性；

下游需求不确定性：全球经济受疫情影响，下游需求存在不确定性。

P.16 请仔细阅读本报告末页声明

2021年07月30日

免责声明

国盛证券有限责任公司（以下简称“本公司”）具有中国证监会许可的证券投资咨询业务资格。本报告仅供本公司的客户

使用。本公司不会因接收人收到本报告而视其为客户。在任何情况下，本公司不对任何人因使用本报告中的任何内容所

引致的任何损失负任何责任。

本报告的信息均来源于本公司认为可信的公开资料，但本公司及其研究人员对该等信息的准确性及完整性不作任何保证。

本报告中的资料、意见及预测仅反映本公司于发布本报告当日的判断，可能会随时调整。在不同时期，本公司可发出与

本报告所载资料、意见及推测不一致的报告。本公司不保证本报告所含信息及资料保持在最新状态，对本报告所含信息

可在不发出通知的情形下做出修改，投资者应当自行关注相应的更新或修改。

本公司力求报告内容客观、公正，但本报告所载的资料、工具、意见、信息及推测只提供给客户作参考之用，不构成任

何投资、法律、会计或税务的最终操作建议,本公司不就报告中的内容对最终操作建议做出任何担保。本报告中所指的投

资及服务可能不适合个别客户，不构成客户私人咨询建议。投资者应当充分考虑自身特定状况，并完整理解和使用本报

告内容，不应视本报告为做出投资决策的唯一因素。

投资者应注意，在法律许可的情况下，本公司及其本公司的关联机构可能会持有本报告中涉及的公司所发行的证券并进

行交易，也可能为这些公司正在提供或争取提供投资银行、财务顾问和金融产品等各种金融服务。

本报告版权归“国盛证券有限责任公司”所有。未经事先本公司书面授权，任何机构或个人不得对本报告进行任何形式的

发布、复制。任何机构或个人如引用、刊发本报告，需注明出处为“国盛证券研究所”，且不得对本报告进行有悖原意的

删节或修改。

分析师声明

本报告署名分析师在此声明：我们具有中国证券业协会授予的证券投资咨询执业资格或相当的专业胜任能力，本报告所

表述的任何观点均精准地反映了我们对标的证券和发行人的个人看法，结论不受任何第三方的授意或影响。我们所得报

酬的任何部分无论是在过去、现在及将来均不会与本报告中的具体投资建议或观点有直接或间接联系。

投资评级说明

投资建议的评级标准

评级标准为报告发布日后的6个月内公司股价（或行

业指数）相对同期基准指数的相对市场表现。其中A

股市场以沪深300指数为基准；新三板市场以三板成

指（针对协议转让标的）或三板做市指数（针对做市

转让标的）为基准；香港市场以摩根士丹利中国指数

为基准，美股市场以标普500指数或纳斯达克综合指

数为基准。

国盛证券研究所

北京

地址：北京市西城区平安里西大街26号楼3层

邮编：100032

传真：************

邮箱：*******************

南昌

地址：南昌市红谷滩新区凤凰中大道1115号北京银行大

厦

邮编：330038

传真：*************

邮箱：*******************

上海

地址：上海市浦明路868号保利One56 1号楼10层

邮编：200120

电话：************

邮箱：*******************

深圳

地址：深圳市福田区福华三路100号鼎和大厦24楼

邮编：518033

邮箱：*******************

评级

买入

股票评级

增持

持有

减持

增持

中性

减持

说明

相对同期基准指数涨幅在15%以上

相对同期基准指数涨幅在5%~15%之间

相对同期基准指数涨幅在-5%~+5%之间

相对同期基准指数跌幅在5%以上

相对同期基准指数涨幅在10%以上

相对同期基准指数涨幅在-10%~+10%

之间

相对同期基准指数跌幅在10%以上

行业评级

P.17 请仔细阅读本报告末页声明