2024年4月10日发(作者：联想y470换固态硬盘)
3DU系列硅光敏三极管参数
3DU系列硅光敏三极管参数
硅光敏三极管
V
(BR)CE
V
(RM)CE
I
D
I
L
T
1)
λ
p
P
M
Type I
CE
E tr td tf ts
(nm(mW
No.
(V)
(μA
(V) I
CE
(μA
V
(BR)
(mA)
(LX(μs(μs(μs(μs
) )
CE
)
) ) ) ) ) )
3DU1≥1
1 5
12
20
20D
21
≥1
21B*
5
≥4
5
≥1
0
0.5
10
～1
0.≤0.
≥3
3 3
≥0.
0
30
6
— — 1.0 — 4
≥10.≤0.
10 1～2
0 3 3
3 2 3 1
70
50
≤3 ≤2 ≤3 ≤1
≤60 —
3 2
≤60 —
3 1 30
75
100
22 1～2
0
3 2 3 1 50
≥4≥3≤0.
≥0.
3
30*
5
0.5
0
≤3 ≤2 ≤3 ≤1 880
— — 6
75
≥4≤1.
30D — ≥4 ≤60 — ≤60 —
5 0
31
≥1
31B*
5
32
42
62
82
≥4
5
— —
≥4
5
≥1
10
0
0.≤0.
≥2
3 3
≥3
—
0
≥4
≤1.
30 ≥6 100 ≤60 —
0
≥8
≤60 — 100
30
3 2 3 1
50
* 为带基极光敏三极管 1）T测试条件R
L
=50Ω V
CE
=10V 20D、
30D、42、62、82为达林顿型
硅光敏三极管
参数项
最高工上升时下降时峰值最大工作温
目
暗电流 光电流
作电压 间 间 波长 功率 度
符号 V
RM
(CE) I
D
I
L
tr tf λ
p
P
M
T
OP
R
L
=50Ω,V
CE
=10V
H=1000LX
V=V
RM
(CE) 脉冲电流幅度为
V
CE
=10V
1mA
电气光学特性Ta=25±2℃ 极限参数
测试条
I
CE
=I
D
件
型号
3DU20-
A
3DU20-
30V
B
3DU20-
C
≤0.1uA ≥1mA
–
≤5us ≤5us 880nm 30mw 25℃—
+65℃
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