2024年3月29日发(作者：铭瑄主板质量怎么样)
NAND的SLC和MLC 介绍
SLC和MLC
NAND闪存可分为三大架构：单层单元（Single Level Cell），SLC；多层单元（Multi Level
Cell），MLC；多位单元（Multi Bit Cell），MBC。其中，MBC是Infineon和Saifun以NROM
技术为基础共同开发的NAND闪存架构，该项架构技术并不是十分成熟，目前 没有广泛应用，
本节略过不提。
SLC和MLC结构和工作原理示意图
SLC是基础的NAND闪存技术，与EEPROM的原理类似（整个NAND闪存都 是东芝根据EEPROM
发展开发的）。其工作原理简单来说，是在源极和漏极之间电流单向传导的半导体上形成贮
存电子的浮动栅（Floating Gate，闪存存储单元中存放电荷的部分），数据是0或1取决
于浮动栅中是否有电荷。有电荷为0，无电荷为1。写入时只有数据为0时才进行写入，写
入方式 是向栅电极和漏极施加高电压，增加在源极和漏极之间传导的电荷能量。电荷突破
氧化膜绝缘体，进入浮动栅。读取数据时，向栅电极施加一定的电压，电流大为 1，电流小
则定为0。
采用这样的方式在每个Cell中可存储1个bit的信息，其特点是稳定、读写速度快，但Cell
可写入次数为10万次，三星是SLC是主要倡导者。但是SLC也有很大的缺点，就是同面积
容量比较小，并且由于先天上的限制，基本上很难再往前发展。
1997年，Intel率先研发成功MLC，其原理是将2个或2个以上bit以上 的信息写入一个
浮动栅，然后利用不同电位的电荷，透过内存储存格的电压控制精准读写。MLC由于成本低，
容量大，问世以来得到了Intel、东芝、 Hynix等多家闪存大厂的支持，其中东芝更是大力
发展MLC技术。不过，MLC也有其缺点，那就是工作不如SLC稳定，读写速度也比SLC慢。
还 有，MLC的可写入次数为1万次。因此，MLC曾一度被误解为劣质闪存芯片。不过，由于
容量上的先天优势，MLC技术也在不断改进和发展。
大容量低价闪存的出现使闪存的应用更广泛
2004年，东芝接续推出了MLC 4Gbit和8Gbit容量NAND芯片，将NAND闪存容量更推上新
高峰。2005年，东芝曾采用90nm技术与三星的73nm技术展开肉搏。东芝 90nm MLC闪存的
存储密度为每平方毫米29Mb，远远高于三星73nm闪存的每平方毫米25.8Mb的密度。
因此，一直将重点放在SLC的三星也开始改变对MLC的看法。2004年 和2005年三星在国
际固态电路大会（ISSCC）上提交的MLC技术论文，标志着该公司的观点发生了变化。虽然
在三星的网站上仍旧没有任何有关MLC闪 存的营销信息，但该公司的确已生产出了4Gb MLC
NAND闪存芯片。其裸片尺寸是156平方mm，同东芝采用90nm工艺的MLC 4Gb NAND闪存相
比，还是大了18平方mm。因此在MLC技术上追上东芝，三星在其下一代MLC技术上还需要
改进。
不过，三星最近改进了新的的Flex-OneNAND型闪存，这是一种混合型闪存芯片，可以在一
颗芯片封装里混合采用SLC和MLC。以此来综合两者的优势，这种产品的接受度和实际性能
还有待市场的检验。
无论如何，MLC的出现和发展，使得闪存在相对低的成本下实现越来越高的容量成为 可能。
近年来各种NAND闪存存储卡体积越来越小，容量越来越大。以往由于容量上的缺陷，需要
由0.8英寸、1英寸、1.8英寸等微型硬盘来填补空白的领 域，现在正逐渐被大容量闪存“收
复失地”，例如CF卡。相对于硬盘来说，闪存由于没有硬盘那样比较复杂伺服机构，稳定
性、安全性、抗震性都要高很多，此外 体积、重量、发热、噪音等各方面都要低不少。
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