2024年3月15日发(作者：富士s2600hd)
各种AMOLED技术的介绍
本文介绍了AMOLED的生产中的金属氧化物技术、低温多晶硅技术、
非晶硅技术、微晶硅技术、有机膜蒸镀技术、光射出方式技术,并对
其优缺点进行了分析。
（1）金属氧化物技术（Metal oxide TFT)
这种生产技术目前被很多厂家及专业调查公司看好，并认为是将来大
尺寸AMOLED技术路线的首选，各个公司也有相应的大尺寸样品展
出。
该技术TFT基板在加工过程中，可采取液晶行业中常见的、成熟的
大面积的溅镀成膜的方式，氧化物为InGaO3(ZNO)5，尽管这种器件
的电子迁移率较LTPS技术生产出来的产品要低，基本为10
cm2/V-sec，但这个迁移率参数为非晶硅技术器件的10倍以上，该器
件电子迁移率完全能够满足AMOLED的电流驱动要求，因此可以应
用于OLED的驱动。
目前金属氧化物技术还处于实验室验证阶段，世界上没有真正进行过
量产的经验，主要的因素是其再现性及长期工作稳定性还需要进一步
改善和确认。
（2）低温多晶硅技术（LTPS TFT)
该技术是目前世界上唯一经过商业化量产验证、在G4.5代以下生产
线相当成熟的AMOLED生产技术。
该技术和非晶硅技术主要的区别是利用激光晶化的方式，将非晶硅薄
膜变为多晶硅，从而将电子迁移率从0.5提高到50-100 cm2/V-s，以
满足OLED电流驱动的要求。
该技术经过多年的商业化量产，产品性能优越，工作稳定性好，同时
在这几年的量产中，其良品率已得到很大的提高，达到90%左右，极
大的降低了产品成本。
从以上LTPS的工艺流程可以看出，其和非晶硅技术的主要区别是增
加了激光晶化过程和离子注入过程，其它的加工工艺基本相同，设备
也和非晶硅生产有相通之处。
另外，晶化的技术也有很多种，目前小尺寸最常用的是ELA，其它的
晶化技术还有：SLS、YLA等，有的公司也在利用其它的技术研发
AMOLED的TFT基板，例如金属诱导晶化技术，也有相应的样品展
出，但这一技术的主要问题是金属会导致膜层间的电压击穿，漏电流
大，器件稳定性无法保证（由于AMOLED器件是特别薄的，各层间
加工时保证层面干净度，防止电压击穿是重要的一项课题）。
LTPS技术的主要缺陷有如下几点：
●生产工艺比较复杂，使用的Mask数量为6—9道，初期设备投入成
本高。
●受激光晶化工艺的限制，大尺寸化比较困难，目前最大的生产线为
G4.5代。
●激光晶化造成Mura严重，使用在TV面板上，会造成视觉上的缺
陷。
（3）非晶硅技术（a-Si TFT)
非晶硅技术最成功的应用是在液晶生产工艺中，目前的LCD 厂家，
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