2024年3月10日发(作者：佳能a4000参数)

Power MOSFET中文是电力场效应晶体管的意思。电力场效应晶体管分为两种类型，

结型和绝缘栅型，但通常所说的是绝缘栅型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor

FET），简称电力MOSFET（Power MOSFET）。

P-MOSFET是用栅极电压来控制漏极电流，它的显著特点是驱动电路简单，驱动功率

小，开关速度快，工作频率高；但是其电流容量小，耐压低，只用于小功率的电力电子装

置，其工作原理与普通MOSFET一样。

特性

Power MOSFET的主要特性如下：Power MOSFET静态特性主要指输出特性和转移

特性, 与静态特性对应的主要参数有：漏极击穿电压；漏极额定电压；漏极额定电流和栅

极开启电压等。

1、静态特性

(1) 输出特性即是漏极的伏安特性曲线，如图 2(b)所示.由图所见,输出特性分为截止，

饱和与非饱和3个区域，这里饱和、非饱和的概念与 GTR 不同。 饱和是指漏极电流 ID 不

随漏源电压UDS的增加而增加，也就是基本保持不变；非饱和是指地UCS一定时，ID 随

UDS 增加呈线性关系变化.

(2) 转移特性表示漏极电流ID与栅源之间电压UGS的转移特性关系曲线, 如图 2(a)

所示. 转移特性可表示出器件的放大能力, 并且是与 GTR 中的电流增益β相似。由于

Power MOSFET是压控器件，因此用跨导这一参数来表示，跨导定义为 (1) 图中UT为开

启电压，只有当UGS=UT时才会出现导电沟道，产生漏极电流 ID。

2、动态特性

动态特性主要描述输入量与输出量之间的时间关系，它影响器件的开关过程。由于该

器件为单极型，靠多数载流子导电，因此开关速度快，时间短，一般在纳秒数量级。

Power MOSFET的动态特性.如图所示。

Power MOSFET栅极电阻；RL为漏极负载电阻；RF用以检测漏极电流。Power

MOSFET的开关过程波形，如图 3(b)所示。 Power MOSFET的开通过程；由于Power

MOSFET有输入电容，因此当脉冲电压up的上升沿到来时，输入电容有一个充电过程,栅

极电压 uGS 按指数曲线 上升.当 uGS 上升到开启电压 UT 时,开始形成导电沟道并出

现漏极电流 iD.从 up 前沿时刻到 uGS=UT,且开始出现 iD 的时刻,这段时间称为开通延

时时间 td(on).此 后,iD 随 uGS 的上升而上升,uGS 从开启电压 UT 上升到Power

MOSFET临近饱和区 的栅极电压 uGSP 这段时间,称为上升时间 tr.这样Power