2024年4月7日发(作者：)

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范

1

范围

IEC 60747的这一部分详细介绍了以下类型的具有反向二极管的金属氧化物半导体场效应晶体管

（MOSFET）。

——

B 型：耗尽（常开）型；

——

C 型：增强（常闭）型。

注1：某些应用中的MOSFET可能没有数据手册中的体二极管特性。用于消除体二极管的特殊电路元件结构正在

开发中。MOSFET应用（如电机控制设备）需要在MOSFET中指定体二极管特性，以将体二极管用作续流

二极管。

注2：MOSFET在IEC 60747-8中被划分为一类绝缘栅场效应晶体管（IGFET）。

注3：本标准仅使用C型图形符号。 它同样适用于B型器件的测量。

2 规范性引用文件

下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后修订版

均不适用于本标准。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。

IEC 60747-1-1983 半导体器件 分立器件和集成电路 第1部分：总则（Semiconductor devices.

Discrete devices - Part 1 : General）

IEC 60747-2-2000 半导体器件 分立器件与集成电路 第2部分：整流二极管 （Semiconductor

devices - Discrete devices and integrated circuits - Part 2: Rectifier diodes）

IEC 60747-8-2010 半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管（Semiconductor devices - Discrete

devices - Part 8: Field-effect transistors）

JEITA EDR-4713-2017 化合物半导体可靠性实验方法准则（Guidelines for Compound Power

Semiconductor Device Reliability Test Method）

3 术语和定义

下列术语和定义适用于本文件

3.1 通用术语

MOSFET的通用术语在IEC 60747-8的4.2中定义

3.2 等效电路

MOSFET通常包含与MOSFET本身反向并联的体二极管。图1显示了N沟道器件的等效电路。P

沟道器件的极性相反。一般情况下，该体二极管不在图形符号中标识。

1

图1 具有体二极管的MOSFET的等效电路

3.3 与额定值和特性有关的术语

3.3.1

关断电压的上升速率 rate of rise of off-state voltage

dv / dt

在体二极管的反向恢复期间漏极-源极关断电压上升速率。

3.3.2

反偏安全工作区 reverse-bias safe operating area

RBSOA

在漏极电流与漏极-源极电压区域，其中MOSFET能够在钳位电感负载的情况下重复地关断而不失

效。

3.3.3

短路安全工作区 short circuit safe operating area

SCSOA

在漏极电流与漏极电压区域，其中MOSFET能够在没有故障的情况下非重复地开通和关断。

3.3.4

雪崩能量（用于雪崩器件） avalanche energy

E

A

关断期间的雪崩能量

3.3.5

重复雪崩能量（用于雪崩器件） repetitive avalanche energy

E

AR

关断期间重复的雪崩能量

3.3.6

非重复雪崩能量（用于雪崩装置） non-repetitive avalanche energy

E

AS

关断期间的非重复雪崩能力（单脉冲）

2

3.3.7

漏极泄漏电流 drain leakage current

I

DS

关断状态下的漏极电流

3.3.8

漏极-源极的击穿电压 breakdown voltage, drain to source

V

(BR)DS

关断状态下的漏极-源极击穿电压

3.3.9

（短路）输入电容 (short-circuit) input capacitance

C

iss

见IEC 60747-8 中的 4.3.6.1。

3.3.10

（短路）输出电容 (short-circuit) output capacitance

C

oss

见IEC 60747-8 中的 4.3.6.2。

3.3.11

（短路）反向传输电容 (short-circuit) reverse transfer capacitance

C

rss

见IEC 60747-8 中的 4.3.6.3。

3.3.12

栅极内阻 internal gate resistance

R

g

短路栅极内阻（见图37）

3.3.13

开关时间 switching times

t

d(on

)，t

r

，t

d(off)

，和 t

f

输入波形是栅极到源极电压，输出波形是漏极电流

（见IEC 60747-1）。

3.3.14

开通能量 turn-on energy

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